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ビスマス
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インジウム
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ビスマス
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インジウム

原子構造ビスマスおよびインジウム

アトミック

原子番号

電子構成

結晶構造

結晶格子

陽子数

中性子数

電子の数

原子半径

共有結合半径

ファンデルワールス半径

原子量

原子容

前の要素

次の要素

ヴァランス電子ポテンシャル

格子定数

ラティス角度

ラティスC /比

 
83
【キセノン] 14 5dは10 6S 2 6P 3 4F
菱面体晶(RHO)
RHO-Crystal-Structure-of-Bismuth.jpg#100
83
126
83
156.00 午後
148.00 午後
207.00 午後
208.98 AMU
21.30 立方センチメートル/モル
18
41
41.90 (-eV)
667.40 午後
-
1.86
 
49
[のKr] 4dは10 5S 2 5P 1
正方晶(TETR)
TETR-Crystal-Structure-of-Indium.jpg#100
49
66
49
167.00 午後
142.00 午後
193.00 午後
114.82 AMU
15.70 立方センチメートル/モル
38
2
54.00 (-eV)
325.23 午後
π/2, π/2, π/2
1.56