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原子構造インジウムおよびハッシウム

インジウム
ハッシウム
原子構造ハッシウムおよびインジウム


アトミック プロパティ
原子番号
49   
99+
108   
10
電子構成
[のKr] 4dは10 5S 2 5P 1   
14 6dは6 7sの2 5F [Rnの]   
結晶構造
正方晶（TETR）   
六方最閉じる（HCP）   
結晶格子
TETR-Crystal-Structure-of-Indium.jpg#100   
BCC-Crystal-Structure-.jpg#100   
原子
  
  
陽子数
49   
99+
108   
10
中性子数
66   
99+
158   
6
電子の数
49   
99+
108   
10
アトムの半径
  
  
原子半径
167.00 午後   
24
126.00 午後   
99+
共有結合半径
142.00 午後   
99+
134.00 午後   
99+
ファンデルワールス半径
193.00 午後   
31
利用不可   
原子量
114.82 AMU   
99+
269.00 AMU   
9
原子容
15.70 立方センチメートル/モル   
33
利用不可   
隣接する原子番号
  
  
前の要素
カドミウム
  
ボーリウム
  
次の要素
錫
  
マイトネリウム
  
ヴァランス電子ポテンシャル
54.00 （-eV）   
25
利用不可   
格子定数
325.23 午後   
99+
利用不可   
ラティス角度
π/2, π/2, π/2   
NA   
ラティスC /比
利用不可   
利用不可   
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