沸点
2,000.00 °C
  
99+
2,627.00 °C
  
40
ブリネル硬さ
8.80 メガパスカル
  
99+
利用不可
  
ビッカース硬度
利用不可
  
利用不可
  
光学特性
  
  
屈折率
利用不可
  
利用不可
  
反射性
利用不可
  
利用不可
  
音速
1,215.00 ミズ
  
99+
利用不可
  
同素体
いいえ
  
いいえ
  
α同素体
利用不可
  
利用不可
  
β同素体
利用不可
  
利用不可
  
γ同素体
利用不可
  
利用不可
  
化学式
In
  
Bk
  
同位体
  
  
電気陰性度
  
  
サンダーソン電気陰性
利用不可
  
マリケン-ジャッフェ電気陰性度
利用不可
  
陽性度
  
  
イオン化エネルギー
  
  
第一のエネルギーレベル
558.30 kJの/モル
  
99+
601.00 kJの/モル
  
99+
第二のエネルギーレベル
1,820.70 kJの/モル
  
18
1,186.00 kJの/モル
  
99+
第三のエネルギーレベル
2,704.00 kJの/モル
  
39
2,152.00 kJの/モル
  
99+
電気化学当量
1.43 グラム/アンペア-HR
  
99+
3.07 グラム/アンペア-HR
  
16
その他の化学的性質
イオン化, 放射性同位元素, 放射能, 溶解度
  
イオン化, 放射性同位元素, 放射能
  
室温での密度
7.31 グラム/ cm 3の
  
99+
14.78 グラム/ cm 3の
  
22
密度とき液体(融点で)
7.02 グラム/ cm 3で
  
33
13.25 グラム/ cm 3で
  
11
蒸気圧
  
  
1000年Kにおける蒸気圧
利用不可
  
2000 Kにおける蒸気圧
利用不可
  
利用不可
  
抗張力
2.50 メガパスカル
  
21
利用不可
  
粘度
利用不可
  
利用不可
  
弾性特性
  
  
せん断弾性係数
利用不可
  
利用不可
  
体積弾性率
利用不可
  
利用不可
  
ヤング率
11.00 GPaで
  
99+
利用不可
  
ポアソン比
利用不可
  
利用不可
  
他の機械的特性
延性のあります, 柔軟
  
NA
  
シンボル
In
  
Bk
  
期間番号
5
  
7
  
ブロック
p個のブロック
  
Fブロック
  
エレメントファミリー
ポストトランジション
  
アクチニド
  
原子量
114.82 AMU
  
99+
原子容
15.70 立方センチメートル/モル
  
33
利用不可
  
電子構成
[のKr] 4dは10 5S 2 5P 1
  
[Rnに] 5F 9 7S 2
  
ヴァランス電子ポテンシャル
54.00 (-eV)
  
25
45.50 (-eV)
  
36
結晶構造
正方晶(TETR)
  
パックドダブル六方(DHCP)
  
結晶格子
TETR-Crystal-Structure-of-Indium.jpg#100
  
DHCP-Crystal-Structure-of-Berkelium.jpg#100
  
アトムの半径
  
  
ファンデルワールス半径
利用不可
  
ラティス角度
π/2, π/2, π/2
  
π/2, π/2, 2 π/3
  
ラティスC /比
利用不可
  
利用不可
  
隣接する原子番号
  
  
電気的性質
  
  
抵抗率
83.70 Nω・メートル
  
34
利用不可
  
電気伝導性
0.12 10
6 / cmのΩ
  
17
利用不可
  
電子親和力
28.90 kJの/モル
  
31
利用不可
  
電気的性質
導体
  
導体
  
磁気特性
  
  
磁気秩序
反磁性の
  
常磁性体
  
透磁率
利用不可
  
利用不可
  
敏感
利用不可
  
利用不可
  
比熱
0.23 J /(kgのK)
  
27
利用不可
  
熱伝導率
81.80 W /メートル・K
  
21
10.00 W /メートル・K
  
99+
臨界温度
利用不可
  
利用不可
  
モル熱容量
26.74 J /モル・K
  
25
利用不可
  
熱膨張
32.10 ミクロン/(メートル・K)
  
9
利用不可
  
標準モルエントロピー
57.80 J / mol.K
  
22
利用不可
  
エンタルピー
  
  
蒸発エンタルピー
226.40 kJの/モル
  
40
利用不可
  
融解エンタルピー
3.28 kJの/モル
  
99+
利用不可
  
微粒化のエンタルピー
242.70 kJの/モル
  
99+
利用不可