沸点
1,457.00 °C
  
99+
2,403.00 °C
  
99+
ブリネル硬さ
26.50 メガパスカル
  
99+
56.80 メガパスカル
  
99+
ビッカース硬度
利用不可
  
利用不可
  
光学特性
  
  
屈折率
利用不可
  
利用不可
  
反射性
利用不可
  
利用不可
  
音速
2,740.00 ミズ
  
31
同素体
いいえ
  
いいえ
  
α同素体
利用不可
  
利用不可
  
β同素体
利用不可
  
利用不可
  
γ同素体
利用不可
  
利用不可
  
化学式
Tl
  
Ga
  
同位体
  
  
電気陰性度
  
  
陽性度
  
  
イオン化エネルギー
  
  
第一のエネルギーレベル
589.40 kJの/モル
  
99+
578.80 kJの/モル
  
99+
第二のエネルギーレベル
1,971.00 kJの/モル
  
14
1,979.30 kJの/モル
  
13
第三のエネルギーレベル
2,878.00 kJの/モル
  
32
2,963.00 kJの/モル
  
28
電気化学当量
7.63 グラム/アンペア-HR
  
2
0.87 グラム/アンペア-HR
  
99+
その他の化学的性質
腐食, イオン化, 放射性同位元素, 溶解度
  
イオン化, 放射性同位元素
  
室温での密度
11.85 グラム/ cm 3の
  
31
5.91 グラム/ cm 3の
  
99+
密度とき液体(融点で)
11.22 グラム/ cm 3で
  
13
6.10 グラム/ cm 3で
  
99+
蒸気圧
  
  
2000 Kにおける蒸気圧
利用不可
  
利用不可
  
抗張力
利用不可
  
利用不可
  
粘度
利用不可
  
利用不可
  
弾性特性
  
  
他の機械的特性
延性のあります, 細く裂けました
  
NA
  
シンボル
Tl
  
Ga
  
期間番号
6
  
4
  
ブロック
p個のブロック
  
p個のブロック
  
エレメントファミリー
ポストトランジション
  
ポストトランジション
  
原子容
17.20 立方センチメートル/モル
  
31
11.80 立方センチメートル/モル
  
99+
電子構成
【キセノン] 14 5dは10 6S 2 6P 1 4F
  
[アルゴン] 3D 10 4S 2 4P 1
  
ヴァランス電子ポテンシャル
9.60 (-eV)
  
99+
69.70 (-eV)
  
19
結晶構造
六方最閉じる(HCP)
  
斜方晶(ORTH)
  
結晶格子
BCC-Crystal-Structure-.jpg#100
  
ORTH-Crystal-Structure-of-Gallium.jpg#100
  
アトムの半径
  
  
ラティス角度
π/2, π/2, 2 π/3
  
π/2, π/2, π/2
  
隣接する原子番号
  
  
電気的性質
  
  
抵抗率
0.18 Nω・メートル
  
99+
270.00 Nω・メートル
  
15
電気伝導性
0.06 10 6 / cmのΩ
  
32
0.07 10 6 / cmのΩ
  
29
電子親和力
19.20 kJの/モル
  
32
28.90 kJの/モル
  
31
電気的性質
導体
  
半導体
  
磁気特性
  
  
磁気秩序
反磁性の
  
反磁性の
  
透磁率
利用不可
  
利用不可
  
敏感
利用不可
  
利用不可
  
比熱
0.13 J /(kgのK)
  
39
0.37 J /(kgのK)
  
16
熱伝導率
46.10 W /メートル・K
  
33
40.60 W /メートル・K
  
34
臨界温度
利用不可
  
利用不可
  
モル熱容量
26.32 J /モル・K
  
29
25.86 J /モル・K
  
35
熱膨張
29.90 ミクロン/(メートル・K)
  
12
18.00 ミクロン/(メートル・K)
  
24
標準モルエントロピー
64.20 J / mol.K
  
19
40.80 J / mol.K
  
38
エンタルピー
  
  
蒸発エンタルピー
162.10 kJの/モル
  
99+
256.10 kJの/モル
  
36
融解エンタルピー
4.27 kJの/モル
  
99+
5.59 kJの/モル
  
99+
微粒化のエンタルピー
179.90 kJの/モル
  
99+
276.10 kJの/モル
  
39