沸点
2,403.00 °C
  
99+
ブリネル硬さ
2,000.00 メガパスカル
  
4
56.80 メガパスカル
  
99+
ビッカース硬度
3,430.00 メガパスカル
  
1
利用不可
  
光学特性
  
  
屈折率
利用不可
  
利用不可
  
音速
4,620.00 ミズ
  
16
2,740.00 ミズ
  
31
同素体
いいえ
  
いいえ
  
α同素体
利用不可
  
利用不可
  
β同素体
利用不可
  
利用不可
  
γ同素体
利用不可
  
利用不可
  
化学式
W
  
Ga
  
同位体
  
  
電気陰性度
  
  
マリケン-ジャッフェ電気陰性度
利用不可
  
陽性度
  
  
イオン化エネルギー
  
  
第一のエネルギーレベル
770.00 kJの/モル
  
16
578.80 kJの/モル
  
99+
第二のエネルギーレベル
1,700.00 kJの/モル
  
29
1,979.30 kJの/モル
  
13
第三のエネルギーレベル
利用不可
  
2,963.00 kJの/モル
  
28
電気化学当量
1.14 グラム/アンペア-HR
  
99+
0.87 グラム/アンペア-HR
  
99+
その他の化学的性質
イオン化, 放射性同位元素, 溶解度
  
イオン化, 放射性同位元素
  
室温での密度
19.25 グラム/ cm 3の
  
16
5.91 グラム/ cm 3の
  
99+
密度とき液体(融点で)
17.60 グラム/ cm 3で
  
5
6.10 グラム/ cm 3で
  
99+
蒸気圧
  
  
1000年Kにおける蒸気圧
利用不可
  
2000 Kにおける蒸気圧
利用不可
  
抗張力
370.00 メガパスカル
  
10
利用不可
  
粘度
利用不可
  
利用不可
  
弾性特性
  
  
他の機械的特性
延性のあります, 柔軟
  
NA
  
シンボル
W
  
Ga
  
期間番号
6
  
4
  
ブロック
Dブロック
  
p個のブロック
  
エレメントファミリー
遷移金属
  
ポストトランジション
  
原子容
9.53 立方センチメートル/モル
  
99+
11.80 立方センチメートル/モル
  
99+
電子構成
14 5dの4 6S 2 4F [Xeを]
  
[アルゴン] 3D 10 4S 2 4P 1
  
ヴァランス電子ポテンシャル
140.00 (-eV)
  
5
69.70 (-eV)
  
19
結晶構造
体心立方(BCC)
  
斜方晶(ORTH)
  
結晶格子
BCC-Crystal-Structure-.jpg#100
  
ORTH-Crystal-Structure-of-Gallium.jpg#100
  
アトムの半径
  
  
ラティス角度
π/2, π/2, π/2
  
π/2, π/2, π/2
  
ラティスC /比
利用不可
  
利用不可
  
隣接する原子番号
  
  
電気的性質
  
  
抵抗率
52.80 Nω・メートル
  
99+
270.00 Nω・メートル
  
15
電気伝導性
0.19 10 6 / cmのΩ
  
10
0.07 10 6 / cmのΩ
  
29
電子親和力
78.60 kJの/モル
  
13
28.90 kJの/モル
  
31
電気的性質
超電導体
  
半導体
  
磁気特性
  
  
磁気秩序
常磁性体
  
反磁性の
  
透磁率
利用不可
  
利用不可
  
敏感
利用不可
  
利用不可
  
比熱
0.13 J /(kgのK)
  
39
0.37 J /(kgのK)
  
16
熱伝導率
173.00 W /メートル・K
  
7
40.60 W /メートル・K
  
34
臨界温度
利用不可
  
利用不可
  
モル熱容量
24.27 J /モル・K
  
99+
25.86 J /モル・K
  
35
熱膨張
4.50 ミクロン/(メートル・K)
  
99+
18.00 ミクロン/(メートル・K)
  
24
標準モルエントロピー
32.60 J / mol.K
  
99+
40.80 J / mol.K
  
38
エンタルピー
  
  
蒸発エンタルピー
799.10 kJの/モル
  
1
256.10 kJの/モル
  
36
融解エンタルピー
35.23 kJの/モル
  
1
5.59 kJの/モル
  
99+
微粒化のエンタルピー
837.00 kJの/モル
  
1
276.10 kJの/モル
  
39