沸点
2,270.00 °C
  
99+
ブリネル硬さ
50.00 メガパスカル
  
99+
利用不可
  
ビッカース硬度
利用不可
  
利用不可
  
光学特性
  
  
屈折率
利用不可
  
利用不可
  
反射性
利用不可
  
利用不可
  
音速
2,730.00 ミズ
  
32
利用不可
  
同素体
はい
  
いいえ
  
α同素体
灰色スズ(Αスズ、ペスト)
  
利用不可
  
β同素体
ホワイトティン(ベータ版ティン)
  
利用不可
  
γ同素体
菱形ティン(ガンマティン)
  
利用不可
  
化学式
Sn
  
Ts
  
同位体
  
  
電気陰性度
  
  
ポーリング電気陰性度
利用不可
  
サンダーソン電気陰性
利用不可
  
オールレッドロヒョー電気陰性
利用不可
  
マリケン-ジャッフェ電気陰性度
利用不可
  
陽性度
  
  
イオン化エネルギー
  
  
第一のエネルギーレベル
708.60 kJの/モル
  
33
742.90 kJの/モル
  
23
第二のエネルギーレベル
1,411.80 kJの/モル
  
99+
1,785.00 kJの/モル
  
22
第三のエネルギーレベル
2,943.00 kJの/モル
  
30
利用不可
  
電気化学当量
1.11 グラム/アンペア-HR
  
99+
利用不可
  
その他の化学的性質
イオン化, 溶解度
  
化学的安定性, イオン化
  
室温での密度
7.37 グラム/ cm 3の
  
99+
7.10 グラム/ cm 3の
  
99+
密度とき液体(融点で)
6.99 グラム/ cm 3で
  
34
利用不可
  
蒸気圧
  
  
1000年Kにおける蒸気圧
利用不可
  
2000 Kにおける蒸気圧
利用不可
  
利用不可
  
抗張力
利用不可
  
利用不可
  
粘度
利用不可
  
利用不可
  
弾性特性
  
  
他の機械的特性
延性のあります, 柔軟
  
未知の
  
シンボル
Sn
  
Ts
  
期間番号
5
  
7
  
ブロック
p個のブロック
  
p個のブロック
  
エレメントファミリー
ポストトランジション
  
おそらくポストトランジション
  
原子量
118.71 AMU
  
99+
原子容
16.30 立方センチメートル/モル
  
32
利用不可
  
電子構成
[のKr] 4dは10 5S 2 5P 2
  
[Rnの] 14 6D 10 7sの2 7P 5 5F
  
ヴァランス電子ポテンシャル
83.50 (-eV)
  
14
利用不可
  
結晶構造
正方晶(TETR)
  
知られていない
  
結晶格子
TETR-Crystal-Structure-of-Tin.jpg#100
  
Unknown-Crystal-Structure-of-Ununseptium.jpg#100
  
アトムの半径
  
  
ファンデルワールス半径
利用不可
  
ラティス角度
π/2, π/2, π/2
  
NA
  
ラティスC /比
利用不可
  
利用不可
  
隣接する原子番号
  
  
電気的性質
  
  
抵抗率
115.00 Nω・メートル
  
28
利用不可
  
電気伝導性
0.09 10
6 / cmのΩ
  
23
利用不可
  
電子親和力
107.30 kJの/モル
  
8
利用不可
  
電気的性質
超電導体
  
未知の
  
磁気特性
  
  
磁気秩序
反磁性の
  
常磁性体
  
透磁率
利用不可
  
利用不可
  
敏感
利用不可
  
利用不可
  
比熱
0.23 J /(kgのK)
  
28
利用不可
  
熱伝導率
66.80 W /メートル・K
  
25
利用不可
  
臨界温度
利用不可
  
利用不可
  
モル熱容量
27.11 J /モル・K
  
20
利用不可
  
熱膨張
22.00 ミクロン/(メートル・K)
  
20
利用不可
  
標準モルエントロピー
51.20 J / mol.K
  
29
利用不可
  
エンタルピー
  
  
蒸発エンタルピー
290.40 kJの/モル
  
32
利用不可
  
融解エンタルピー
7.03 kJの/モル
  
99+
利用不可
  
微粒化のエンタルピー
301.30 kJの/モル
  
35
利用不可