沸点
2,000.00 C
  
99+
2,403.00 C
  
99+
维氏硬度
不可用
  
不可用
  
光学性质
  
  
折射率
不可用
  
不可用
  
反射率
不可用
  
不可用
  
声音的速度
1,215.00 女士
  
99+
2,740.00 女士
  
31
同素异形体
没有
  
没有
  
α同素异形体
不可用
  
不可用
  
β同素异形体
不可用
  
不可用
  
γ同素异形体
不可用
  
不可用
  
化学式
在
  
嘎
  
同位素
  
  
电负性
  
  
电离能
  
  
1能级
558.30 千焦耳/摩尔
  
99+
578.80 千焦耳/摩尔
  
99+
第二能级
1,820.70 千焦耳/摩尔
  
18
1,979.30 千焦耳/摩尔
  
13
第三能级
2,704.00 千焦耳/摩尔
  
39
2,963.00 千焦耳/摩尔
  
28
电化学当量
1.43 克/安培小时
  
99+
0.87 克/安培小时
  
99+
其他化学性质
电离, 放射性同位素, 放射性, 可溶性
  
电离, 放射性同位素
  
密度在室温下
7.31 克/厘米3
  
99+
5.91 克/厘米3
  
99+
密度液体时(在MP)
7.02 克/立方厘米
  
33
6.10 克/立方厘米
  
99+
蒸汽压力
  
  
在2000ķ蒸汽压
不可用
  
不可用
  
粘性
不可用
  
不可用
  
弹性性能
  
  
剪切模量
不可用
  
不可用
  
体积弹性模量
不可用
  
不可用
  
等力学性能
球墨铸铁, 可锻铸
  
NA
  
符号
在
  
嘎
  
期
5
  
4
  
木块
p挡
  
p挡
  
家庭元素
转型后
  
转型后
  
原子量
114.82 AMU
  
99+
原子体积
15.70 立方厘米/摩尔
  
33
11.80 立方厘米/摩尔
  
99+
电子组态
[Kr] 4d10 5s2 5p1
  
[Ar] 3d10 4s2 4p1
  
价电子势
54.00 (-eV)
  
25
69.70 (-eV)
  
19
晶体结构
四方(四面体)
  
正交(正高)
  
晶格
TETR-Crystal-Structure-of-Indium.jpg#100
  
ORTH-Crystal-Structure-of-Gallium.jpg#100
  
一个Atom半径
  
  
格角
π/ 2,π/ 2,π/ 2
  
π/ 2,π/ 2,π/ 2
  
格C / A比值
不可用
  
不可用
  
相邻的原子数
  
  
电气性能
  
  
抵抗力
270.00 NΩ·米
  
15
电导率
0.12 10 6 /厘米Ω
  
17
0.07 10 6 /厘米Ω
  
29
电子亲
28.90 千焦耳/摩尔
  
31
28.90 千焦耳/摩尔
  
31
电性能
导体
  
半导体
  
磁学特征
  
  
磁有序
抗磁性
  
抗磁性
  
渗透性
不可用
  
不可用
  
感受性
不可用
  
不可用
  
比热
0.23 焦耳/(千克K)
  
27
0.37 焦耳/(千克K)
  
16
导热系数
81.80 瓦/米·K
  
21
40.60 瓦/米·K
  
34
临界温度
不可用
  
不可用
  
摩尔热容
26.74 焦/摩尔·K
  
25
25.86 焦/摩尔·K
  
35
热膨胀
32.10 微米/(M·K)
  
9
18.00 微米/(M·K)
  
24
标准熵
57.80 焦耳/ mol.K
  
22
40.80 焦耳/ mol.K
  
38
蒸发焓
226.40 千焦耳/摩尔
  
40
256.10 千焦耳/摩尔
  
36
融合焓
3.28 千焦耳/摩尔
  
99+
5.59 千焦耳/摩尔
  
99+
雾化焓
242.70 千焦耳/摩尔
  
99+
276.10 千焦耳/摩尔
  
39