沸点
2,403.00 C
  
99+
1,560.00 C
  
99+
维氏硬度
不可用
  
不可用
  
光学性质
  
  
折射率
不可用
  
不可用
  
反射率
不可用
  
不可用
  
声音的速度
2,740.00 女士
  
31
1,790.00 女士
  
99+
同素异形体
没有
  
没有
  
α同素异形体
不可用
  
不可用
  
β同素异形体
不可用
  
不可用
  
γ同素异形体
不可用
  
不可用
  
化学式
嘎
  
双
  
同位素
  
  
电负性
  
  
电离能
  
  
1能级
578.80 千焦耳/摩尔
  
99+
703.00 千焦耳/摩尔
  
35
第二能级
1,979.30 千焦耳/摩尔
  
13
1,610.00 千焦耳/摩尔
  
33
第三能级
2,963.00 千焦耳/摩尔
  
28
2,466.00 千焦耳/摩尔
  
99+
电化学当量
0.87 克/安培小时
  
99+
2.60 克/安培小时
  
19
其他化学性质
电离, 放射性同位素
  
电离, 放射性同位素, 可溶性
  
密度在室温下
5.91 克/厘米3
  
99+
密度液体时(在MP)
6.10 克/立方厘米
  
99+
10.05 克/立方厘米
  
18
蒸汽压力
  
  
在1000K时蒸气压
不可用
  
在2000ķ蒸汽压
不可用
  
不可用
  
抗拉强度
不可用
  
不可用
  
粘性
不可用
  
不可用
  
弹性性能
  
  
等力学性能
NA
  
NA
  
符号
嘎
  
双
  
期
4
  
6
  
木块
p挡
  
p挡
  
家庭元素
转型后
  
转型后
  
原子体积
11.80 立方厘米/摩尔
  
99+
21.30 立方厘米/摩尔
  
14
电子组态
[Ar] 3d10 4s2 4p1
  
[Xe] 4f14 5d10 6s2 6p3
  
价电子势
69.70 (-eV)
  
19
41.90 (-eV)
  
99+
晶体结构
正交(正高)
  
菱面体(RHO)
  
晶格
ORTH-Crystal-Structure-of-Gallium.jpg#100
  
RHO-Crystal-Structure-of-Bismuth.jpg#100
  
一个Atom半径
  
  
格角
π/ 2,π/ 2,π/ 2
  
NA
  
格C / A比值
不可用
  
不可用
  
相邻的原子数
  
  
电气性能
  
  
抵抗力
270.00 NΩ·米
  
15
电导率
0.07 10 6 /厘米Ω
  
29
0.01 10 6 /厘米Ω
  
99+
电子亲
28.90 千焦耳/摩尔
  
31
91.20 千焦耳/摩尔
  
11
电性能
半导体
  
半导体
  
磁学特征
  
  
磁有序
抗磁性
  
抗磁性
  
比热
0.37 焦耳/(千克K)
  
16
0.12 焦耳/(千克K)
  
40
导热系数
40.60 瓦/米·K
  
34
7.97 瓦/米·K
  
99+
临界温度
不可用
  
不可用
  
摩尔热容
25.86 焦/摩尔·K
  
35
25.52 焦/摩尔·K
  
37
热膨胀
18.00 微米/(M·K)
  
24
13.40 微米/(M·K)
  
28
标准熵
40.80 焦耳/ mol.K
  
38
56.70 焦耳/ mol.K
  
24
蒸发焓
256.10 千焦耳/摩尔
  
36
151.00 千焦耳/摩尔
  
99+
融合焓
5.59 千焦耳/摩尔
  
99+
10.90 千焦耳/摩尔
  
33
雾化焓
276.10 千焦耳/摩尔
  
39
207.10 千焦耳/摩尔
  
99+