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ハフニウム

原子構造インジウムおよびハフニウム
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アトミック

原子番号

電子構成

結晶構造

結晶格子

陽子数

中性子数

電子の数

原子半径

共有結合半径

ファンデルワールス半径

原子量

原子容

前の要素

次の要素

ヴァランス電子ポテンシャル

格子定数

ラティス角度

ラティスC /比

 
49
[のKr] 4dは10 5S 2 5P 1
正方晶（TETR）
TETR-Crystal-Structure-of-Indium.jpg#100
49
66
49
167.00 午後
142.00 午後
193.00 午後
114.82 AMU
15.70 立方センチメートル/モル
38
2
54.00 （-eV）
325.23 午後
π/2, π/2, π/2
1.56
 
72
14図5d 2 6sの2 4F [Xeを]
六方最閉じる（HCP）
BCC-Crystal-Structure-.jpg#100
72
106
72
159.00 午後
175.00 午後
200.00 午後
178.49 AMU
13.60 立方センチメートル/モル
80
57
81.00 （-eV）
319.64 午後
π/2, π/2, 2 π/3
1.58

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