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インジウム
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モスコビウム
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インジウム
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モスコビウム

原子構造インジウムおよびモスコビウム

アトミック

原子番号

電子構成

結晶構造

結晶格子

陽子数

中性子数

電子の数

原子半径

共有結合半径

ファンデルワールス半径

原子量

原子容

前の要素

次の要素

ヴァランス電子ポテンシャル

格子定数

ラティス角度

ラティスC /比

 
49
[のKr] 4dは10 5S 2 5P 1
正方晶(TETR)
TETR-Crystal-Structure-of-Indium.jpg#100
49
66
49
167.00 午後
142.00 午後
193.00 午後
114.82 AMU
15.70 立方センチメートル/モル
38
2
54.00 (-eV)
325.23 午後
π/2, π/2, π/2
1.56
 
115
[Rnの] 14 6D 10 7sの2 7P 3 5F
知られていない
Unknown-Crystal-Structure-of-Ununpentium.jpg#100
115
159
115
170.00 午後
170.00 午後
320.00 午後
289.00 AMU
22.60 立方センチメートル/モル
65
94
5.30 (-eV)
0.00 午後
-
1.70