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ファンデルワールス半径
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原子容
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次の要素
ヴァランス電子ポテンシャル
格子定数
ラティス角度
ラティスC /比
49
[のKr] 4dは
10
5S
2
5P
1
正方晶（TETR）
TETR-Crystal-Structure-of-Indium.jpg#100
49
66
49
167.00 午後
142.00 午後
193.00 午後
114.82 AMU
15.70 立方センチメートル/モル
38
2
54.00 （-eV）
325.23 午後
π/2, π/2, π/2
1.56
74
14
5dの
4
6S
2
4F [Xeを]
体心立方（BCC）
BCC-Crystal-Structure-.jpg#100
74
110
74
139.00 午後
162.00 午後
200.00 午後
183.84 AMU
9.53 立方センチメートル/モル
57
64
140.00 （-eV）
316.52 午後
π/2, π/2, π/2
1.29
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