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ハッシウム

原子構造モスコビウムおよびハッシウム
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アトミック

原子番号

電子構成

結晶構造

結晶格子

陽子数

中性子数

電子の数

原子半径

共有結合半径

ファンデルワールス半径

原子量

原子容

前の要素

次の要素

ヴァランス電子ポテンシャル

格子定数

ラティス角度

ラティスC /比

 
115
[Rnの] 14 6D 10 7sの2 7P 3 5F
知られていない
Unknown-Crystal-Structure-of-Ununpentium.jpg#100
115
159
115
170.00 午後
170.00 午後
320.00 午後
289.00 AMU
22.60 立方センチメートル/モル
65
94
5.30 （-eV）
0.00 午後
-
1.70
 
108
14 6dは6 7sの2 5F [Rnの]
六方最閉じる（HCP）
BCC-Crystal-Structure-.jpg#100
108
158
108
126.00 午後
134.00 午後
0.00 午後
269.00 AMU
22.70 立方センチメートル/モル
69
89
0.00 （-eV）
-
-
1.31

比較する合成金属

合成金属

フェルミウム電子配置
フェルミウム 金属
メンデレビウム電子配置
メンデレビウム 金属
バークリウム電子配置
バークリウム 金属
ハッシウム電子配置
テネシン金属
ハッシウム対テネシン
ハッシウム電子配置
ニホニウム金属
ハッシウム対ニホニウム
ハッシウム電子配置
レントゲニウム金属
ハッシウム対レントゲニウム

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