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原子構造モスコビウムおよびインジウム

モスコビウム
インジウム
原子構造インジウムおよびモスコビウム


アトミック プロパティ
原子番号
115   
3
49   
99+
電子構成
[Rnの] 14 6D 10 7sの2 7P 3 5F   
[のKr] 4dは10 5S 2 5P 1   
結晶構造
知られていない   
正方晶（TETR）   
結晶格子
Unknown-Crystal-Structure-of-Ununpentium.jpg#100   
TETR-Crystal-Structure-of-Indium.jpg#100   
原子
  
  
陽子数
115   
3
49   
99+
中性子数
159   
5
66   
99+
電子の数
115   
3
49   
99+
アトムの半径
  
  
原子半径
利用不可   
167.00 午後   
24
共有結合半径
利用不可   
142.00 午後   
99+
ファンデルワールス半径
利用不可   
193.00 午後   
31
原子量
289.00 AMU   
3
114.82 AMU   
99+
原子容
利用不可   
15.70 立方センチメートル/モル   
33
隣接する原子番号
  
  
前の要素
フレロビウム
  
カドミウム
  
次の要素
リバモリウム
  
錫
  
ヴァランス電子ポテンシャル
利用不可   
54.00 （-eV）   
25
格子定数
利用不可   
325.23 午後   
99+
ラティス角度
NA   
π/2, π/2, π/2   
ラティスC /比
利用不可   
利用不可   
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