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ニホニウム
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タングステン
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タングステン

原子構造ニホニウムおよびタングステン
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アトミック

原子番号

電子構成

結晶構造

結晶格子

陽子数

中性子数

電子の数

原子半径

共有結合半径

ファンデルワールス半径

原子量

原子容

前の要素

次の要素

ヴァランス電子ポテンシャル

格子定数

ラティス角度

ラティスC /比

 
113
[Rnの] 14 6D 10 7sの2 7P 1 5F
知られていない
Unknown-Crystal-Structure-of-Ununtrium.jpg#100
113
150
113
170.00 午後
170.00 午後
320.00 午後
286.00 AMU
21.10 立方センチメートル/モル
71
65
6.20 （-eV）
0.00 午後
-
1.58
 
74
14 5dの4 6S 2 4F [Xeを]
体心立方（BCC）
BCC-Crystal-Structure-.jpg#100
74
110
74
139.00 午後
162.00 午後
200.00 午後
183.84 AMU
9.53 立方センチメートル/モル
57
64
140.00 （-eV）
316.52 午後
π/2, π/2, π/2
1.29

比較する合成金属

合成金属

フェルミウム電子配置
フェルミウム 金属
メンデレビウム電子配置
メンデレビウム 金属
バークリウム電子配置
バークリウム 金属
タングステン金属
リバモリウム金属
タングステン対リバモリウム
タングステン金属
テネシン金属
タングステン対テネシン
タングステン金属
レントゲニウム金属
タングステン対レントゲニウム

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