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アトミック
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電子構成
結晶構造
結晶格子
陽子数
中性子数
電子の数
原子半径
共有結合半径
ファンデルワールス半径
原子量
原子容
前の要素
次の要素
ヴァランス電子ポテンシャル
格子定数
ラティス角度
ラティスC /比
50
[のKr] 4dは
10
5S
2
5P
2
正方晶(TETR)
TETR-Crystal-Structure-of-Tin.jpg#100
50
69
50
140.00 午後
139.00 午後
217.00 午後
118.71 AMU
16.30 立方センチメートル/モル
43
40
83.50 (-eV)
583.18 午後
π/2, π/2, π/2
0.68
83
【キセノン]
14
5dは
10
6S
2
6P
3
4F
菱面体晶(RHO)
RHO-Crystal-Structure-of-Bismuth.jpg#100
83
126
83
156.00 午後
148.00 午後
207.00 午後
208.98 AMU
21.30 立方センチメートル/モル
18
41
41.90 (-eV)
667.40 午後
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