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ビスマス対ガリウム
f
ビスマス
ガリウム
ガリウム対ビスマス
概要
周期表
事実
用途
フィジカル
ケミカル
アトミック
メカニカル
磁気
サーマル
すべて
周期表
シンボル
Bi
Ga
グループ番号
15
3
13
5
期間番号
6
4
ブロック
p個のブロック
p個のブロック
エレメントファミリー
ポストトランジション
ポストトランジション
CAS番号
7440699
22
7440553
32
スペースグループ名
C12 / m1の
CMCA
スペースグループ番号
12.00
12
64.00
9
事実
興味深い事実
ビスマス金属は可溶性であり、濃硝酸と反応します。
その酸化物は、塗料中の黄色顔料として使用されます。ビスマス、塩化酸化BiClOは、化粧品に真珠のような質感を与えます。
ガリウム金属のグラムはわずか3ドルで購入することができます。
ガリウム金属は、以下の事柄石炭、ボーキサイト、ダイアスポア、閃亜鉛鉱、Germaniteと亜鉛の鉱石で見つかりました。
ソース
鉱物で発見, 鉱業, 鉱物の鉱石
地殻, 鉱物で発見, 鉱業, 鉱物の鉱石
歴史
誰が発見
クロード・フランソワ・ジェフロワ
ルコック・ド・ボアボードラン
発見
1753年には
1875年に
豊富
宇宙では豊富
7 * 10
-8
%
25
1 * 10
-6
%
16
日には豊富
~0.000006 %
14
~0.000004 %
16
隕石では豊富
0.00 %
99+
0.00 %
16
地球の地殻に豊富
0.00 %
99+
0.00 %
24
海洋の豊富
0.00 %
24
0.00 %
22
用途
用途と利点
スズとビスマスの合金は、非常に低い融点を有し、従って、それは、火災感知器と、消火器に使用されます。また、電気はんだとヒューズに使用されます。
ガリウムヒ素は、多くの半導体の非常に重要な要素であり、製造を主導しました。
窒化ガリウムは、半導体として知られている、それはブルーレイ技術、モバイルスマートフォン、LEDに使用されます。
産業用途
自動車産業, 化学工業, 電気事業, 電子産業
電気事業, 電子産業
医療用途
製薬業界
手術器具製造業
他の用途
合金
合金
生物学的性質
毒性
低毒性
非毒性
人間の体内に存在します
はい
はい
血液中の
0.02 血液/ mgでのDM-3
20
0.08 血液/ mgでのDM-3
13
骨の中に
0.20 ppmの
22
利用不可
フィジカル プロパティ
融点
271.30 °C
99+
29.78 °C
99+
沸点
1,560.00 °C
99+
2,403.00 °C
99+
外観
身体的状況
固体
固体
色
銀
銀白色
光沢
メタリック
メタリック
硬度
モース硬度
2.25
15
1.50
18
ブリネル硬さ
70.00 メガパスカル
99+
56.80 メガパスカル
99+
音速
1,790.00 ミズ
99+
2,740.00 ミズ
31
光学特性
同素体
いいえ
いいえ
α同素体
利用不可
利用不可
β同素体
利用不可
利用不可
γ同素体
利用不可
利用不可
ケミカル プロパティ
化学式
Bi
Ga
同位体
既知の同位体
33
6
24
15
電気陰性度
ポーリング電気陰性度
2.02
6
1.81
15
サンダーソン電気陰性
2.34
3
2.42
2
オールレッドロヒョー電気陰性
1.67
6
1.82
1
マリケン-ジャッフェ電気陰性度
2.15
4
2.01
5
アレン電気陰性
2.01
4
1.76
14
陽性度
ポーリング陽性度
1.98
99+
2.19
39
イオン化エネルギー
第一のエネルギーレベル
703.00 kJの/モル
35
578.80 kJの/モル
99+
第二のエネルギーレベル
1,610.00 kJの/モル
33
1,979.30 kJの/モル
13
第三のエネルギーレベル
2,466.00 kJの/モル
99+
2,963.00 kJの/モル
28
第四エネルギーレベル
4,370.00 kJの/モル
28
6,180.00 kJの/モル
8
第五エネルギーレベル
5,400.00 kJの/モル
30
利用不可
第六エネルギーレベル
8,520.00 kJの/モル
19
利用不可
電気化学当量
2.60 グラム/アンペア-HR
19
0.87 グラム/アンペア-HR
99+
電子仕事関数
4.22 eVの
22
4.20 eVの
23
その他の化学的性質
イオン化, 放射性同位元素, 溶解度
イオン化, 放射性同位元素
アトミック プロパティ
原子番号
83
33
31
99+
電子構成
【キセノン]
14
5dは
10
6S
2
6P
3
4F
[アルゴン] 3D
10
4S
2
4P
1
結晶構造
菱面体晶(RHO)
斜方晶(ORTH)
結晶格子
RHO-Crystal-Structure-of-Bismuth.jpg#100
ORTH-Crystal-Structure-of-Gallium.jpg#100
原子
陽子数
83
33
31
99+
中性子数
126
18
39
99+
電子の数
83
33
31
99+
アトムの半径
原子半径
156.00 午後
29
135.00 午後
99+
共有結合半径
148.00 午後
36
122.00 午後
99+
ファンデルワールス半径
207.00 午後
26
187.00 午後
32
原子量
208.98 AMU
29
69.72 AMU
99+
原子容
21.30 立方センチメートル/モル
14
11.80 立方センチメートル/モル
99+
隣接する原子番号
前の要素
鉛
亜鉛
次の要素
ポロニウム
ルビジウム
ヴァランス電子ポテンシャル
41.90 (-eV)
99+
69.70 (-eV)
19
格子定数
667.40 午後
2
451.97 午後
18
ラティス角度
NA
π/2, π/2, π/2
ラティスC /比
利用不可
利用不可
メカニカル プロパティ
密度
室温での密度
9.78 グラム/ cm
3
の
39
5.91 グラム/ cm
3
の
99+
密度とき液体(融点で)
10.05 グラム/ cm 3で
18
6.10 グラム/ cm 3で
99+
抗張力
利用不可
利用不可
粘度
利用不可
利用不可
蒸気圧
1000年Kにおける蒸気圧
利用不可
0.00 (PA)
15
弾性特性
せん断弾性係数
12.00 GPaで
99+
利用不可
体積弾性率
31.00 GPaで
38
利用不可
ヤング率
32.00 GPaで
99+
9.80 GPaで
99+
ポアソン比
0.33
11
0.47
1
他の機械的特性
NA
NA
磁気 プロパティ
磁気特性
比重
9.79
30
5.91
99+
磁気秩序
反磁性の
反磁性の
透磁率
0.00 H /メートル
6
利用不可
敏感
0.00
6
利用不可
電気的性質
電気的性質
半導体
半導体
抵抗率
1.29 Nω・メートル
99+
270.00 Nω・メートル
15
電気伝導性
0.01 10
6
/ cmのΩ
99+
0.07 10
6
/ cmのΩ
29
電子親和力
91.20 kJの/モル
11
28.90 kJの/モル
31
サーマル プロパティ
比熱
0.12 J /(kgのK)
40
0.37 J /(kgのK)
16
モル熱容量
25.52 J /モル・K
37
25.86 J /モル・K
35
熱伝導率
7.97 W /メートル・K
99+
40.60 W /メートル・K
34
臨界温度
利用不可
利用不可
熱膨張
13.40 ミクロン/(メートル・K)
28
18.00 ミクロン/(メートル・K)
24
エンタルピー
蒸発エンタルピー
151.00 kJの/モル
99+
256.10 kJの/モル
36
融解エンタルピー
10.90 kJの/モル
33
5.59 kJの/モル
99+
微粒化のエンタルピー
207.10 kJの/モル
99+
276.10 kJの/モル
39
標準モルエントロピー
56.70 J / mol.K
24
40.80 J / mol.K
38
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