シンボル
Fr
  
Bi
  
期間番号
7
  
6
  
ブロック
sのブロック
  
p個のブロック
  
エレメントファミリー
アルカリ
  
ポストトランジション
  
スペースグループ名
利用不可
  
C12 / m1の
  
スペースグループ番号
利用不可
  
興味深い事実
- 223フランシウムは21.8で最も長い半減期を有します。
- フランシウム金属は227アクチニウム227にアルファ崩壊によって生成されます。
  
- その酸化物は、塗料中の黄色顔料として使用されます。ビスマス、塩化酸化BiClOは、化粧品に真珠のような質感を与えます。
  
ソース
崩壊過程によって形成されます, 鉱業
  
鉱物で発見, 鉱業, 鉱物の鉱石
  
誰が発見
マルグリット・ペレー
  
クロード・フランソワ・ジェフロワ
  
発見
1939年に
  
1753年には
  
日には豊富
~-9999 %
  
~0.000006 %
  
14
用途と利点
- それだけで22分の半減期を有するようフランシウムには用途が知られていません。
  
- スズとビスマスの合金は、非常に低い融点を有し、従って、それは、火災感知器と、消火器に使用されます。また、電気はんだとヒューズに使用されます。
  
産業用途
NA
  
自動車産業, 化学工業, 電気事業, 電子産業
  
医療用途
NA
  
製薬業界
  
他の用途
NA
  
合金
  
生物学的性質
  
  
毒性
NA
  
低毒性
  
人間の体内に存在します
いいえ
  
はい
  
血液中の
0.00 血液/ mgでのDM-3
  
37
0.02 血液/ mgでのDM-3
  
20
沸点
1,560.00 °C
  
99+
身体的状況
固体
  
固体
  
色
NA
  
銀
  
光沢
NA
  
メタリック
  
ブリネル硬さ
利用不可
  
70.00 メガパスカル
  
99+
音速
利用不可
  
1,790.00 ミズ
  
99+
光学特性
  
  
同素体
いいえ
  
いいえ
  
α同素体
利用不可
  
利用不可
  
β同素体
利用不可
  
利用不可
  
γ同素体
利用不可
  
利用不可
  
化学式
Fr
  
Bi
  
同位体
  
  
電気陰性度
  
  
サンダーソン電気陰性
利用不可
  
陽性度
  
  
イオン化エネルギー
  
  
第一のエネルギーレベル
380.00 kJの/モル
  
99+
703.00 kJの/モル
  
35
第二のエネルギーレベル
利用不可
  
1,610.00 kJの/モル
  
33
第三のエネルギーレベル
利用不可
  
2,466.00 kJの/モル
  
99+
第四エネルギーレベル
利用不可
  
4,370.00 kJの/モル
  
28
第五エネルギーレベル
利用不可
  
5,400.00 kJの/モル
  
30
第六エネルギーレベル
利用不可
  
8,520.00 kJの/モル
  
19
電気化学当量
8.32 グラム/アンペア-HR
  
1
2.60 グラム/アンペア-HR
  
19
その他の化学的性質
イオン化, 放射性同位元素, 放射能, 溶解度
  
イオン化, 放射性同位元素, 溶解度
  
電子構成
[Rnに] 7S 1
  
【キセノン] 14 5dは10 6S 2 6P 3 4F
  
結晶構造
体心立方(BCC)
  
菱面体晶(RHO)
  
結晶格子
BCC-Crystal-Structure-.jpg#100
  
RHO-Crystal-Structure-of-Bismuth.jpg#100
  
アトムの半径
  
  
原子容
利用不可
  
21.30 立方センチメートル/モル
  
14
隣接する原子番号
  
  
ヴァランス電子ポテンシャル
8.00 (-eV)
  
99+
41.90 (-eV)
  
99+
ラティス角度
NA
  
NA
  
ラティスC /比
利用不可
  
利用不可
  
室温での密度
1.87 グラム/ cm 3の
  
99+
9.78 グラム/ cm 3の
  
39
密度とき液体(融点で)
利用不可
  
10.05 グラム/ cm 3で
  
18
抗張力
利用不可
  
利用不可
  
粘度
利用不可
  
利用不可
  
蒸気圧
  
  
弾性特性
  
  
せん断弾性係数
利用不可
  
12.00 GPaで
  
99+
ヤング率
利用不可
  
32.00 GPaで
  
99+
他の機械的特性
NA
  
NA
  
磁気特性
  
  
磁気秩序
常磁性体
  
反磁性の
  
透磁率
利用不可
  
0.00 H /メートル
  
6
電気的性質
  
  
電気的性質
不良導体
  
半導体
  
抵抗率
3.00 Nω・メートル
  
99+
1.29 Nω・メートル
  
99+
電気伝導性
0.03 10 6 / cmのΩ
  
40
0.01 10 6 / cmのΩ
  
99+
電子親和力
利用不可
  
91.20 kJの/モル
  
11
比熱
利用不可
  
0.12 J /(kgのK)
  
40
モル熱容量
利用不可
  
25.52 J /モル・K
  
37
熱伝導率
15.00 W /メートル・K
  
99+
7.97 W /メートル・K
  
99+
臨界温度
利用不可
  
利用不可
  
熱膨張
利用不可
  
13.40 ミクロン/(メートル・K)
  
28
エンタルピー
  
  
蒸発エンタルピー
利用不可
  
151.00 kJの/モル
  
99+
融解エンタルピー
利用不可
  
10.90 kJの/モル
  
33
微粒化のエンタルピー
71.00 kJの/モル
  
99+
207.10 kJの/モル
  
99+
標準モルエントロピー
利用不可
  
56.70 J / mol.K
  
24