シンボル
Ga
  
Tc
  
期間番号
4
  
5
  
ブロック
p個のブロック
  
Dブロック
  
エレメントファミリー
ポストトランジション
  
遷移金属
  
スペースグループ名
CMCA
  
P63 / MMC
  
興味深い事実
- ガリウム金属のグラムはわずか3ドルで購入することができます。
- ガリウム金属は、以下の事柄石炭、ボーキサイト、ダイアスポア、閃亜鉛鉱、Germaniteと亜鉛の鉱石で見つかりました。
  
- テクネチウムの元の名前はマスリウムました。
- その発見の時点でそれはモリブデンのサンプルで見つかりました。
  
ソース
地殻, 鉱物で発見, 鉱業, 鉱物の鉱石
  
重陽子との砲撃モリブデンによって作ら
  
誰が発見
ルコック・ド・ボアボードラン
  
エミリオ・セグレとカルロPerriero
  
発見
1875年に
  
1937年に
  
日には豊富
~0.000004 %
  
16
~-9999 %
  
用途と利点
- ガリウムヒ素は、多くの半導体の非常に重要な要素であり、製造を主導しました。
- 窒化ガリウムは、半導体として知られている、それはブルーレイ技術、モバイルスマートフォン、LEDに使用されます。
  
- テクネチウムの放射性金属であるため、それは医学研究及び他の研究目的のために使用されます。
  
産業用途
電気事業, 電子産業
  
NA
  
医療用途
手術器具製造業
  
NA
  
他の用途
合金
  
合金, 核研究, 研究目的
  
生物学的性質
  
  
毒性
非毒性
  
低毒性
  
人間の体内に存在します
はい
  
いいえ
  
血液中の
0.08 血液/ mgでのDM-3
  
13
0.00 血液/ mgでのDM-3
  
37
沸点
2,403.00 °C
  
99+
身体的状況
固体
  
固体
  
色
銀白色
  
シャイニーグレー
  
光沢
メタリック
  
NA
  
ブリネル硬さ
56.80 メガパスカル
  
99+
利用不可
  
音速
2,740.00 ミズ
  
31
16,200.00 ミズ
  
1
光学特性
  
  
同素体
いいえ
  
いいえ
  
α同素体
利用不可
  
利用不可
  
β同素体
利用不可
  
利用不可
  
γ同素体
利用不可
  
利用不可
  
化学式
Ga
  
Tc
  
同位体
  
  
電気陰性度
  
  
サンダーソン電気陰性
利用不可
  
マリケン-ジャッフェ電気陰性度
利用不可
  
陽性度
  
  
イオン化エネルギー
  
  
第一のエネルギーレベル
578.80 kJの/モル
  
99+
702.00 kJの/モル
  
36
第二のエネルギーレベル
1,979.30 kJの/モル
  
13
1,470.00 kJの/モル
  
99+
第三のエネルギーレベル
2,963.00 kJの/モル
  
28
2,850.00 kJの/モル
  
33
第四エネルギーレベル
6,180.00 kJの/モル
  
8
利用不可
  
電気化学当量
0.87 グラム/アンペア-HR
  
99+
0.52 グラム/アンペア-HR
  
99+
その他の化学的性質
イオン化, 放射性同位元素
  
アンチ腐食, イオン化, 放射性同位元素, 放射能, 溶解度
  
電子構成
[アルゴン] 3D 10 4S 2 4P 1
  
【クリプトン] 4dの5 5S 2
  
結晶構造
斜方晶(ORTH)
  
六方最閉じる(HCP)
  
結晶格子
ORTH-Crystal-Structure-of-Gallium.jpg#100
  
HCP-Crystal-Structure-of-Technetium.jpg#100
  
アトムの半径
  
  
原子容
11.80 立方センチメートル/モル
  
99+
8.50 立方センチメートル/モル
  
99+
隣接する原子番号
  
  
ヴァランス電子ポテンシャル
69.70 (-eV)
  
19
180.00 (-eV)
  
3
ラティス角度
π/2, π/2, π/2
  
π/2, π/2, 2 π/3
  
室温での密度
5.91 グラム/ cm 3の
  
99+
11.00 グラム/ cm 3の
  
34
密度とき液体(融点で)
6.10 グラム/ cm 3で
  
99+
利用不可
  
抗張力
利用不可
  
利用不可
  
粘度
利用不可
  
利用不可
  
蒸気圧
  
  
1000年Kにおける蒸気圧
利用不可
  
弾性特性
  
  
他の機械的特性
NA
  
NA
  
磁気特性
  
  
磁気秩序
反磁性の
  
常磁性体
  
電気的性質
  
  
電気的性質
半導体
  
導体
  
抵抗率
270.00 Nω・メートル
  
15
200.00 Nω・メートル
  
18
電気伝導性
0.07 10 6 / cmのΩ
  
29
0.07 10 6 / cmのΩ
  
30
電子親和力
28.90 kJの/モル
  
31
53.00 kJの/モル
  
18
比熱
0.37 J /(kgのK)
  
16
0.21 J /(kgのK)
  
29
モル熱容量
25.86 J /モル・K
  
35
24.27 J /モル・K
  
99+
熱伝導率
40.60 W /メートル・K
  
34
50.60 W /メートル・K
  
30
臨界温度
利用不可
  
利用不可
  
熱膨張
18.00 ミクロン/(メートル・K)
  
24
7.10 ミクロン/(メートル・K)
  
99+
エンタルピー
  
  
蒸発エンタルピー
256.10 kJの/モル
  
36
660.00 kJの/モル
  
6
融解エンタルピー
5.59 kJの/モル
  
99+
23.01 kJの/モル
  
9
微粒化のエンタルピー
276.10 kJの/モル
  
39
649.00 kJの/モル
  
8
標準モルエントロピー
40.80 J / mol.K
  
38
181.10 J / mol.K
  
2