シンボル
Hs
  
Ga
  
期間番号
7
  
4
  
ブロック
Dブロック
  
p個のブロック
  
エレメントファミリー
遷移金属
  
ポストトランジション
  
スペースグループ名
利用不可
  
CMCA
  
スペースグループ番号
利用不可
  
興味深い事実
- 減衰のハッシウム金属率が非常に高いです。
- ハッシウム金属1試料は、核反応により合成しました。
  
- ガリウム金属のグラムはわずか3ドルで購入することができます。
- ガリウム金属は、以下の事柄石炭、ボーキサイト、ダイアスポア、閃亜鉛鉱、Germaniteと亜鉛の鉱石で見つかりました。
  
ソース
合成的に生成
  
地殻, 鉱物で発見, 鉱業, 鉱物の鉱石
  
誰が発見
ゲゼルシャフトエリーゼSchwerionenforschung
  
ルコック・ド・ボアボードラン
  
発見
1984年、
  
1875年に
  
日には豊富
~-9999 %
  
~0.000004 %
  
16
用途と利点
- ハッシウム金属の現在知られている用途は、研究目的のみに制限されています。
  
- ガリウムヒ素は、多くの半導体の非常に重要な要素であり、製造を主導しました。
- 窒化ガリウムは、半導体として知られている、それはブルーレイ技術、モバイルスマートフォン、LEDに使用されます。
  
産業用途
NA
  
電気事業, 電子産業
  
医療用途
NA
  
手術器具製造業
  
他の用途
研究目的
  
合金
  
生物学的性質
  
  
毒性
未知の
  
非毒性
  
人間の体内に存在します
いいえ
  
はい
  
血液中の
0.00 血液/ mgでのDM-3
  
37
0.08 血液/ mgでのDM-3
  
13
沸点
利用不可
  
2,403.00 °C
  
99+
身体的状況
固体
  
固体
  
色
銀
  
銀白色
  
光沢
NA
  
メタリック
  
ブリネル硬さ
利用不可
  
56.80 メガパスカル
  
99+
音速
利用不可
  
2,740.00 ミズ
  
31
光学特性
  
  
同素体
いいえ
  
いいえ
  
α同素体
利用不可
  
利用不可
  
β同素体
利用不可
  
利用不可
  
γ同素体
利用不可
  
利用不可
  
化学式
Hs
  
Ga
  
同位体
  
  
電気陰性度
  
  
ポーリング電気陰性度
利用不可
  
サンダーソン電気陰性
利用不可
  
オールレッドロヒョー電気陰性
利用不可
  
マリケン-ジャッフェ電気陰性度
利用不可
  
陽性度
  
  
イオン化エネルギー
  
  
第一のエネルギーレベル
733.30 kJの/モル
  
26
578.80 kJの/モル
  
99+
第二のエネルギーレベル
1,756.00 kJの/モル
  
24
1,979.30 kJの/モル
  
13
第三のエネルギーレベル
2,827.00 kJの/モル
  
36
2,963.00 kJの/モル
  
28
第四エネルギーレベル
3,637.50 kJの/モル
  
99+
6,180.00 kJの/モル
  
8
第五エネルギーレベル
4,940.00 kJの/モル
  
34
利用不可
  
第六エネルギーレベル
6,175.10 kJの/モル
  
23
利用不可
  
第七エネルギーレベル
7,535.50 kJの/モル
  
21
利用不可
  
第八エネルギーレベル
8,857.40 kJの/モル
  
20
利用不可
  
電気化学当量
利用不可
  
0.87 グラム/アンペア-HR
  
99+
その他の化学的性質
イオン化, 放射性同位元素, 放射能
  
イオン化, 放射性同位元素
  
電子構成
14 6dは6 7sの2 5F [Rnの]
  
[アルゴン] 3D 10 4S 2 4P 1
  
結晶構造
六方最閉じる(HCP)
  
斜方晶(ORTH)
  
結晶格子
BCC-Crystal-Structure-.jpg#100
  
ORTH-Crystal-Structure-of-Gallium.jpg#100
  
アトムの半径
  
  
ファンデルワールス半径
利用不可
  
原子容
利用不可
  
11.80 立方センチメートル/モル
  
99+
隣接する原子番号
  
  
ヴァランス電子ポテンシャル
利用不可
  
69.70 (-eV)
  
19
ラティス角度
NA
  
π/2, π/2, π/2
  
ラティスC /比
利用不可
  
利用不可
  
室温での密度
40.70 グラム/ cm 3の
  
1
5.91 グラム/ cm 3の
  
99+
密度とき液体(融点で)
利用不可
  
6.10 グラム/ cm 3で
  
99+
抗張力
利用不可
  
利用不可
  
粘度
利用不可
  
利用不可
  
蒸気圧
  
  
1000年Kにおける蒸気圧
利用不可
  
弾性特性
  
  
他の機械的特性
未知の
  
NA
  
磁気特性
  
  
磁気秩序
未知の
  
反磁性の
  
電気的性質
  
  
電気的性質
未知の
  
半導体
  
抵抗率
利用不可
  
270.00 Nω・メートル
  
15
電気伝導性
利用不可
  
0.07 10
6 / cmのΩ
  
29
電子親和力
利用不可
  
28.90 kJの/モル
  
31
比熱
利用不可
  
0.37 J /(kgのK)
  
16
モル熱容量
利用不可
  
25.86 J /モル・K
  
35
熱伝導率
利用不可
  
40.60 W /メートル・K
  
34
臨界温度
利用不可
  
利用不可
  
熱膨張
利用不可
  
18.00 ミクロン/(メートル・K)
  
24
エンタルピー
  
  
蒸発エンタルピー
利用不可
  
256.10 kJの/モル
  
36
融解エンタルピー
利用不可
  
5.59 kJの/モル
  
99+
微粒化のエンタルピー
利用不可
  
276.10 kJの/モル
  
39
標準モルエントロピー
利用不可
  
40.80 J / mol.K
  
38