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インジウム
インジウム

イッテルビウム
イッテルビウム



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インジウム
X
イッテルビウム

インジウム イッテルビウム比較

1 周期表
1.1 シンボル
In
Yb
1.2 グループ番号
13利用不可
ガドリニウム 素子
0 17
1.3 期間番号
56
リチウム 素子
2 7
1.4 ブロック
p個のブロック
Fブロック
1.5 エレメントファミリー
ポストトランジション
ランタニド元素
1.6 CAS番号
74407467440644
アルミニウム 素子
7429905 54386242
1.7 スペースグループ名
I4 / mmmの
Fm_ 3メートル
1.8 スペースグループ番号
139.00225.00
プルトニウム 素子
11 229
2 事実
2.1 興味深い事実
  • インジウムの光沢が自然の中で明るいです。
  • ライヒと豊かな亜鉛金属にタリウムを探していた、彼らはインジウム金属を発見しました。
  • 空気にさらされるとイッテルビウム金属は急速に酸化します。
  • イッテルビウム金属は鉱物酸に迅速に溶解することができます。
2.2 ソース
鉱業, 金属の鉱石
鉱物で発見, 鉱業, 鉱物の鉱石
2.3 歴史
2.3.1 誰が発見
フェルディナンド・ライヒとテオドール・リヒター
ジャン・マリニャック
2.3.2 発見
1863年には
1878年に
2.4 豊富
2.4.1 宇宙では豊富
3 * 10-82 * 10-7
タリウム 素子
5E-09 0.11
2.4.2 日には豊富
~0.0000004 %~0.0000001 %
ベリリウム 素子
1E-08 0.1
2.4.3 隕石では豊富
0.00 %0.00 %
ゴールド 素子
1.7E-07 22
2.4.4 地球の地殻に豊富
0.00 %0.00 %
ラジウム 素子
9.9E-12 8.1
2.4.5 海洋の豊富
0.00 %0.00 %
プロトアクチニウム 素子
2E-23 1.1
2.4.6 ヒトでは豊富
利用不可利用不可
ラジウム 素子
1E-13 1.4
3 用途
3.1 用途と利点
  • これは、インジウムスズ酸化物(ITO)を生成するために使用され、それは、タッチスクリーン、フラットスクリーンテレビ、ソーラーパネルの製造に使用されます。
  • その窒化物、リンおよびアンチモンは、トランジスタやマイクロチップに使用されています。
  • イッテルビウム金属は、メモリデバイスと同調可能レーザで使用されます。
  • 他の触媒があまりに毒性で汚染されているとしても、工業触媒として使用されます。
3.1.1 産業用途
航空宇宙産業, 自動車産業
自動車産業, 化学工業
3.1.2 医療用途
医学研究
NA
3.1.3 他の用途
合金, 原子炉内の
合金
3.2 生物学的性質
3.2.1 毒性
非毒性
毒性の強いです
3.2.2 人間の体内に存在します
はい
いいえ
3.2.3 血液中の
利用不可利用不可
プルトニウム 素子
0 1970
3.2.4 骨の中に
利用不可利用不可
プルトニウム 素子
0 170000
4 フィジカル
4.1 融点
156.61 °C824.00 °C
フランシウム 素子
27 3410
4.2 沸点
2,000.00 °C1,196.00 °C
フレロビウム 素子
147 5660
4.3 外観
4.3.1 身体的状況
固体
固体
4.3.2 色
銀色のグレー
銀白色
4.3.3 光沢
光沢のあります
メタリック
4.4 硬度
4.4.1 モース硬度
1.20利用不可
セシウム 素子
0.2 8.5
4.4.2 ブリネル硬さ
8.80 メガパスカル343.00 メガパスカル
セシウム 素子
0.14 3490
4.4.3 ビッカース硬度
利用不可206.00 メガパスカル
パラジウム 素子
121 3430
4.5 音速
1,215.00 ミズ1,590.00 ミズ
タリウム 素子
818 16200
4.6 光学特性
4.6.1 屈折率
利用不可利用不可
水銀 素子
1.000933 1.7229
4.6.2 反射性
利用不可利用不可
モリブデン 素子
58 97
4.7 同素体
いいえ
いいえ
4.7.1 α同素体
利用不可
利用不可
4.7.2 β同素体
利用不可
利用不可
4.7.3 γ同素体
利用不可
利用不可
5 ケミカル
5.1 化学式
In
Yb
5.2 同位体
5.2.1 既知の同位体
3530
テネシン 素子
0 38
5.3 電気陰性度
5.3.1 ポーリング電気陰性度
1.78利用不可
フランシウム 素子
0.7 2.54
5.3.2 サンダーソン電気陰性
2.14利用不可
セシウム 素子
0.22 2.56
5.3.3 オールレッドロヒョー電気陰性
1.491.06
セシウム 素子
0.86 1.82
5.3.4 マリケン-ジャッフェ電気陰性度
1.76利用不可
セシウム 素子
0.62 2.48
5.3.5 アレン電気陰性
1.66利用不可
セシウム 素子
0.659 2.7
5.4 陽性度
5.4.1 ポーリング陽性度
2.22利用不可
ゴールド 素子
1.46 3.3
5.5 イオン化エネルギー
5.5.1 第一のエネルギーレベル
558.30 kJの/モル603.40 kJの/モル
セシウム 素子
375.7 26130
5.5.2 第二のエネルギーレベル
1,820.70 kJの/モル1,174.80 kJの/モル
ルテニウム 素子
710.2162 28750
5.5.3 第三のエネルギーレベル
2,704.00 kJの/モル2,417.00 kJの/モル
オスミウム 素子
1600 34230
5.5.4 第四エネルギーレベル
5,210.00 kJの/モル4,203.00 kJの/モル
トリウム 素子
2780 37066
5.5.5 第五エネルギーレベル
利用不可利用不可
ドブニウム 素子
4305.2 97510
5.5.6 第六エネルギーレベル
利用不可利用不可
シーボーギウム 素子
5715.8 105800
5.5.7 第七エネルギーレベル
利用不可利用不可
ボーリウム 素子
7226.8 114300
5.5.8 第八エネルギーレベル
利用不可利用不可
ハッシウム 素子
8857.4 125300
5.5.9 第九エネルギーレベル
利用不可利用不可
イットリウム 素子
14110 134700
5.5.10 第10回エネルギーレベル
利用不可利用不可
ストロンチウム 素子
17100 144300
5.5.11 第11回エネルギーレベル
利用不可利用不可
イットリウム 素子
19900 169988
5.5.12 第12回エネルギーレベル
利用不可利用不可
モリブデン 素子
22219 189368
5.5.13 第13回エネルギーレベル
利用不可利用不可
モリブデン 素子
26930 76015
5.5.14 第14回エネルギーレベル
利用不可利用不可
モリブデン 素子
29196 86450
5.5.15 第15回エネルギーレベル
利用不可利用不可
マンガン 素子
41987 97510
5.5.16 第16回エネルギーレベル
利用不可利用不可
鉄 素子
47206 109480
5.5.17 第17回エネルギーレベル
利用不可利用不可
コバルト 素子
52737 122200
5.5.18 第18回エネルギーレベル
利用不可利用不可
ニッケル 素子
58570 134810
5.5.19 第19回エネルギーレベル
利用不可利用不可
銅 素子
64702 148700
5.5.20 第20回エネルギーレベル
利用不可利用不可
モリブデン 素子
80400 171200
5.5.21 第21回エネルギーレベル
利用不可利用不可
モリブデン 素子
87000 179100
5.5.22 第22回エネルギーレベル
利用不可利用不可
モリブデン 素子
93400 184900
5.5.23 第23回エネルギーレベル
利用不可利用不可
モリブデン 素子
98420 198800
5.5.24 第24回エネルギーレベル
利用不可利用不可
モリブデン 素子
104400 195200
5.5.25 第25回エネルギーレベル
利用不可利用不可
モリブデン 素子
121900 121900
5.5.26 第26回エネルギーレベル
利用不可利用不可
モリブデン 素子
127700 127700
5.5.27 第27回エネルギーレベル
利用不可利用不可
モリブデン 素子
133800 133800
5.5.28 第28回エネルギーレベル
利用不可利用不可
モリブデン 素子
139800 139800
5.5.29 第29回エネルギーレベル
利用不可利用不可
モリブデン 素子
148100 148100
5.5.30 第30回エネルギーレベル
利用不可利用不可
モリブデン 素子
154500 154500
5.6 電気化学当量
1.43 グラム/アンペア-HR2.15 グラム/アンペア-HR
ベリリウム 素子
0.16812 8.3209
5.7 電子仕事関数
4.12 eVの利用不可
セシウム 素子
2.14 5.65
5.8 その他の化学的性質
イオン化, 放射性同位元素, 放射能, 溶解度
イオン化, 放射性同位元素, 溶解度
6 アトミック
6.1 原子番号
4970
リチウム 素子
3 117
6.2 電子構成
[のKr] 4dは10 5S 2 5P 1
【キセノン] 4F 14 6S 2
6.3 結晶構造
正方晶(TETR)
面心立方(FCC)
6.3.1 結晶格子
6.4 原子
6.4.1 陽子数
4970
リチウム 素子
3 117
6.4.2 中性子数
66103
リチウム 素子
4 184
6.4.3 電子の数
4970
リチウム 素子
3 117
6.5 アトムの半径
6.5.1 原子半径
167.00 午後176.00 午後
ベリリウム 素子
112 265
6.5.2 共有結合半径
142.00 午後187.00 午後
ベリリウム 素子
96 260
6.5.3 ファンデルワールス半径
193.00 午後242.00 午後
亜鉛 素子
139 348
6.6 原子量
114.82 AMU173.05 AMU
リチウム 素子
6.94 294
6.7 原子容
15.70 立方センチメートル/モル24.79 立方センチメートル/モル
マンガン 素子
1.39 71.07
6.8 隣接する原子番号
6.8.1 前の要素
6.8.2 次の要素
6.9 ヴァランス電子ポテンシャル
54.00 (-eV)50.30 (-eV)
フランシウム 素子
8 392.42
6.10 格子定数
325.23 午後548.47 午後
ベリリウム 素子
228.58 891.25
6.11 ラティス角度
π/2, π/2, π/2
π/2, π/2, π/2
6.12 ラティスC /比
利用不可利用不可
ベリリウム 素子
1.567 1.886
7 メカニカル
7.1 密度
7.1.1 室温での密度
7.31 グラム/ cm 36.90 グラム/ cm 3
リチウム 素子
0.534 40.7
7.1.2 密度とき液体(融点で)
7.02 グラム/ cm 3で6.21 グラム/ cm 3で
リチウム 素子
0.512 20
7.2 抗張力
2.50 メガパスカル58.00 メガパスカル
ゴールド
2.5 11000
7.3 粘度
利用不可利用不可
水銀 素子
0.001526 0.001526
7.4 蒸気圧
7.4.1 1000年Kにおける蒸気圧
0.01 (PA)利用不可
セリウム 素子
2.47E-11 121
7.4.2 2000 Kにおける蒸気圧
利用不可利用不可
タングステン 素子
2.62E-10 774
7.5 弾性特性
7.5.1 せん断弾性係数
利用不可9.90 GPaで
カリウム 素子
1.3 222
7.5.2 体積弾性率
利用不可30.50 GPaで
セシウム 素子
1.6 462
7.5.3 ヤング率
11.00 GPaで23.90 GPaで
セシウム 素子
1.7 528
7.6 ポアソン比
利用不可0.21
ベリリウム 素子
0.032 0.47
7.7 他の機械的特性
延性のあります, 柔軟
延性のあります, 柔軟
8 磁気
8.1 磁気特性
8.1.1 比重
7.316.97
リチウム 素子
0.53 4500
8.1.2 磁気秩序
反磁性の
常磁性体
8.1.3 透磁率
利用不可利用不可
ビスマス 素子
1.25643E-06 0.0063
8.1.4 敏感
利用不可利用不可
ビスマス 素子
-0.000166 200000
8.2 電気的性質
8.2.1 電気的性質
導体
導体
8.2.2 抵抗率
83.70 Nω・メートル0.25 Nω・メートル
タリウム 素子
0.18 961
8.2.3 電気伝導性
0.12 10 6 / cmのΩ0.04 10 6 / cmのΩ
プルトニウム 素子
0.00666 0.63
8.2.4 電子親和力
28.90 kJの/モル50.00 kJの/モル
水銀 素子
0 222.8
9 サーマル
9.1 比熱
0.23 J /(kgのK)0.15 J /(kgのK)
アメリシウム 素子
0.11 3.6
9.2 モル熱容量
26.74 J /モル・K26.74 J /モル・K
ベリリウム 素子
16.443 62.7
9.3 熱伝導率
81.80 W /メートル・K38.50 W /メートル・K
ネプツニウム 素子
6.3 429
9.4 臨界温度
利用不可26.30 K
水銀
26.3 3223
9.5 熱膨張
32.10 ミクロン/(メートル・K)26.30 ミクロン/(メートル・K)
タングステン 素子
4.5 97
9.6 エンタルピー
9.6.1 蒸発エンタルピー
226.40 kJの/モル128.90 kJの/モル
亜鉛 素子
7.32 799.1
9.6.2 融解エンタルピー
3.28 kJの/モル7.66 kJの/モル
セシウム 素子
2.1 35.23
9.6.3 微粒化のエンタルピー
242.70 kJの/モル180.00 kJの/モル
水銀 素子
61.5 837
9.7 標準モルエントロピー
57.80 J / mol.K59.90 J / mol.K
ベリリウム 素子
9.5 198.1