沸点
2,403.00 °C
  
99+
ブリネル硬さ
56.80 メガパスカル
  
99+
0.36 メガパスカル
  
99+
ビッカース硬度
利用不可
  
利用不可
  
光学特性
  
  
屈折率
利用不可
  
利用不可
  
反射性
利用不可
  
利用不可
  
音速
2,740.00 ミズ
  
31
2,000.00 ミズ
  
99+
同素体
いいえ
  
いいえ
  
α同素体
利用不可
  
利用不可
  
β同素体
利用不可
  
利用不可
  
γ同素体
利用不可
  
利用不可
  
化学式
Ga
  
K
  
同位体
  
  
電気陰性度
  
  
陽性度
  
  
イオン化エネルギー
  
  
第一のエネルギーレベル
578.80 kJの/モル
  
99+
418.80 kJの/モル
  
99+
第二のエネルギーレベル
1,979.30 kJの/モル
  
13
3,052.00 kJの/モル
  
5
第三のエネルギーレベル
2,963.00 kJの/モル
  
28
4,420.00 kJの/モル
  
8
電気化学当量
0.87 グラム/アンペア-HR
  
99+
1.46 グラム/アンペア-HR
  
99+
その他の化学的性質
イオン化, 放射性同位元素
  
化学的安定性, 可燃性, イオン化, 溶解度
  
室温での密度
5.91 グラム/ cm 3の
  
99+
0.86 グラム/ cm 3の
  
99+
密度とき液体(融点で)
6.10 グラム/ cm 3で
  
99+
0.83 グラム/ cm 3で
  
99+
蒸気圧
  
  
1000年Kにおける蒸気圧
利用不可
  
2000 Kにおける蒸気圧
利用不可
  
利用不可
  
抗張力
利用不可
  
利用不可
  
粘度
利用不可
  
利用不可
  
弾性特性
  
  
他の機械的特性
NA
  
NA
  
シンボル
Ga
  
K
  
期間番号
4
  
4
  
ブロック
p個のブロック
  
sのブロック
  
エレメントファミリー
ポストトランジション
  
アルカリ
  
原子容
11.80 立方センチメートル/モル
  
99+
45.46 立方センチメートル/モル
  
3
電子構成
[アルゴン] 3D 10 4S 2 4P 1
  
[アルゴン] 4S 1
  
ヴァランス電子ポテンシャル
69.70 (-eV)
  
19
10.40 (-eV)
  
99+
結晶構造
斜方晶(ORTH)
  
体心立方(BCC)
  
結晶格子
ORTH-Crystal-Structure-of-Gallium.jpg#100
  
BCC-Crystal-Structure-.jpg#100
  
アトムの半径
  
  
ラティス角度
π/2, π/2, π/2
  
π/2, π/2, π/2
  
ラティスC /比
利用不可
  
利用不可
  
隣接する原子番号
  
  
電気的性質
  
  
抵抗率
270.00 Nω・メートル
  
15
72.00 Nω・メートル
  
37
電気伝導性
0.07 10 6 / cmのΩ
  
29
0.14 10 6 / cmのΩ
  
14
電子親和力
28.90 kJの/モル
  
31
48.40 kJの/モル
  
22
電気的性質
半導体
  
導体
  
磁気特性
  
  
磁気秩序
反磁性の
  
常磁性体
  
透磁率
利用不可
  
利用不可
  
敏感
利用不可
  
利用不可
  
比熱
0.37 J /(kgのK)
  
16
0.75 J /(kgのK)
  
6
熱伝導率
40.60 W /メートル・K
  
34
102.50 W /メートル・K
  
15
モル熱容量
25.86 J /モル・K
  
35
29.60 J /モル・K
  
6
熱膨張
18.00 ミクロン/(メートル・K)
  
24
83.30 ミクロン/(メートル・K)
  
3
標準モルエントロピー
40.80 J / mol.K
  
38
64.70 J / mol.K
  
18
エンタルピー
  
  
蒸発エンタルピー
256.10 kJの/モル
  
36
77.50 kJの/モル
  
99+
融解エンタルピー
5.59 kJの/モル
  
99+
2.32 kJの/モル
  
99+
微粒化のエンタルピー
276.10 kJの/モル
  
39
89.50 kJの/モル
  
99+