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金属の比較


プロパティインジウムおよびビスマス


プロパティビスマスおよびインジウム


フィジカル プロパティ

融点
156.61 °C   
99+
271.30 °C   
99+

沸点
2,000.00 °C   
99+
1,560.00 °C   
99+

硬度
  
  

モース硬度
1.20   
20
2.25   
15

ブリネル硬さ
8.80 メガパスカル   
99+
70.00 メガパスカル   
99+

ビッカース硬度
利用不可   
利用不可   

光学特性
  
  

屈折率
利用不可   
利用不可   

反射性
利用不可   
利用不可   

音速
1,215.00 ミズ   
99+
1,790.00 ミズ   
99+

同素体
いいえ   
いいえ   

α同素体
利用不可   
利用不可   

β同素体
利用不可   
利用不可   

γ同素体
利用不可   
利用不可   

ケミカル プロパティ

化学式
In   
Bi   

同位体
  
  

既知の同位体
35   
4
33   
6

電気陰性度
  
  

ポーリング電気陰性度
1.78   
16
2.02   
6

サンダーソン電気陰性
2.14   
8
2.34   
3

オールレッドロヒョー電気陰性
1.49   
13
1.67   
6

マリケン-ジャッフェ電気陰性度
1.76   
10
2.15   
4

アレン電気陰性
1.66   
18
2.01   
4

陽性度
  
  

ポーリング陽性度
2.22   
38
1.98   
99+

イオン化エネルギー
  
  

第一のエネルギーレベル
558.30 kJの/モル   
99+
703.00 kJの/モル   
35

第二のエネルギーレベル
1,820.70 kJの/モル   
18
1,610.00 kJの/モル   
33

第三のエネルギーレベル
2,704.00 kJの/モル   
39
2,466.00 kJの/モル   
99+

電気化学当量
1.43 グラム/アンペア-HR   
99+
2.60 グラム/アンペア-HR   
19

電子仕事関数
4.12 eVの   
24
4.22 eVの   
22

その他の化学的性質
イオン化, 放射性同位元素, 放射能, 溶解度   
イオン化, 放射性同位元素, 溶解度   

メカニカル プロパティ

密度
  
  

室温での密度
7.31 グラム/ cm 3   
99+
9.78 グラム/ cm 3   
39

密度とき液体(融点で)
7.02 グラム/ cm 3で   
33
10.05 グラム/ cm 3で   
18

蒸気圧
  
  

1000年Kにおける蒸気圧
0.01 (PA)   
11
利用不可   

2000 Kにおける蒸気圧
利用不可   
利用不可   

抗張力
2.50 メガパスカル   
21
利用不可   

粘度
利用不可   
利用不可   

弾性特性
  
  

せん断弾性係数
利用不可   
12.00 GPaで   
99+

体積弾性率
利用不可   
31.00 GPaで   
38

ヤング率
11.00 GPaで   
99+
32.00 GPaで   
99+

ポアソン比
利用不可   
0.33   
11

他の機械的特性
延性のあります, 柔軟   
NA   

周期表

シンボル
In   
Bi   

グループ番号
13   
5
15   
3

期間番号
5   
6   

ブロック
p個のブロック   
p個のブロック   

エレメントファミリー
ポストトランジション   
ポストトランジション   

アトミック プロパティ

原子番号
49   
99+
83   
33

原子量
114.82 AMU   
99+
208.98 AMU   
29

原子容
15.70 立方センチメートル/モル   
33
21.30 立方センチメートル/モル   
14

電子構成
[のKr] 4dは10 5S 2 5P 1   
【キセノン] 14 5dは10 6S 2 6P 3 4F   

ヴァランス電子ポテンシャル
54.00 (-eV)   
25
41.90 (-eV)   
99+

原子
  
  

陽子数
49   
99+
83   
33

中性子数
66   
99+
126   
18

電子の数
49   
99+
83   
33

結晶構造
正方晶(TETR)   
菱面体晶(RHO)   

結晶格子
TETR-Crystal-Structure-of-Indium.jpg#100   
RHO-Crystal-Structure-of-Bismuth.jpg#100   

アトムの半径
  
  

原子半径
167.00 午後   
24
156.00 午後   
29

共有結合半径
142.00 午後   
99+
148.00 午後   
36

ファンデルワールス半径
193.00 午後   
31
207.00 午後   
26

格子定数
325.23 午後   
99+
667.40 午後   
2

ラティス角度
π/2, π/2, π/2   
NA   

ラティスC /比
利用不可   
利用不可   

隣接する原子番号
  
  

次の要素
  

前の要素
  

磁気 プロパティ

電気的性質
  
  

抵抗率
83.70 Nω・メートル   
34
1.29 Nω・メートル   
99+

電気伝導性
0.12 10 6 / cmのΩ   
17
0.01 10 6 / cmのΩ   
99+

電子親和力
28.90 kJの/モル   
31
91.20 kJの/モル   
11

電気的性質
導体   
半導体   

磁気特性
  
  

比重
7.31   
99+
9.79   
30

磁気秩序
反磁性の   
反磁性の   

透磁率
利用不可   
0.00 H /メートル   
6

敏感
利用不可   
0.00   
6

サーマル プロパティ

比熱
0.23 J /(kgのK)   
27
0.12 J /(kgのK)   
40

熱伝導率
81.80 W /メートル・K   
21
7.97 W /メートル・K   
99+

臨界温度
利用不可   
利用不可   

モル熱容量
26.74 J /モル・K   
25
25.52 J /モル・K   
37

熱膨張
32.10 ミクロン/(メートル・K)   
9
13.40 ミクロン/(メートル・K)   
28

標準モルエントロピー
57.80 J / mol.K   
22
56.70 J / mol.K   
24

エンタルピー
  
  

蒸発エンタルピー
226.40 kJの/モル   
40
151.00 kJの/モル   
99+

融解エンタルピー
3.28 kJの/モル   
99+
10.90 kJの/モル   
33

微粒化のエンタルピー
242.70 kJの/モル   
99+
207.10 kJの/モル   
99+

すべて >>
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