沸点
2,403.00 °C
  
99+
ブリネル硬さ
0.22 メガパスカル
  
99+
56.80 メガパスカル
  
99+
ビッカース硬度
利用不可
  
利用不可
  
光学特性
  
  
屈折率
利用不可
  
利用不可
  
反射性
利用不可
  
利用不可
  
音速
1,300.00 ミズ
  
99+
2,740.00 ミズ
  
31
同素体
いいえ
  
いいえ
  
α同素体
利用不可
  
利用不可
  
β同素体
利用不可
  
利用不可
  
γ同素体
利用不可
  
利用不可
  
化学式
Rb
  
Ga
  
同位体
  
  
電気陰性度
  
  
陽性度
  
  
イオン化エネルギー
  
  
第一のエネルギーレベル
403.00 kJの/モル
  
99+
578.80 kJの/モル
  
99+
第二のエネルギーレベル
2,633.00 kJの/モル
  
6
1,979.30 kJの/モル
  
13
第三のエネルギーレベル
3,860.00 kJの/モル
  
11
2,963.00 kJの/モル
  
28
電気化学当量
3.19 グラム/アンペア-HR
  
14
0.87 グラム/アンペア-HR
  
99+
その他の化学的性質
腐食, イオン化, 放射性同位元素, 放射能
  
イオン化, 放射性同位元素
  
室温での密度
1.53 グラム/ cm 3の
  
99+
5.91 グラム/ cm 3の
  
99+
密度とき液体(融点で)
1.46 グラム/ cm 3で
  
99+
6.10 グラム/ cm 3で
  
99+
蒸気圧
  
  
1000年Kにおける蒸気圧
利用不可
  
2000 Kにおける蒸気圧
利用不可
  
利用不可
  
抗張力
利用不可
  
利用不可
  
粘度
利用不可
  
利用不可
  
弾性特性
  
  
せん断弾性係数
利用不可
  
利用不可
  
他の機械的特性
延性のあります
  
NA
  
シンボル
Rb
  
Ga
  
期間番号
5
  
4
  
ブロック
sのブロック
  
p個のブロック
  
エレメントファミリー
アルカリ
  
ポストトランジション
  
原子容
55.90 立方センチメートル/モル
  
2
11.80 立方センチメートル/モル
  
99+
電子構成
【クリプトン] 5秒1
  
[アルゴン] 3D 10 4S 2 4P 1
  
ヴァランス電子ポテンシャル
9.47 (-eV)
  
99+
69.70 (-eV)
  
19
結晶構造
体心立方(BCC)
  
斜方晶(ORTH)
  
結晶格子
BCC-Crystal-Structure-.jpg#100
  
ORTH-Crystal-Structure-of-Gallium.jpg#100
  
アトムの半径
  
  
ラティス角度
π/2, π/2, π/2
  
π/2, π/2, π/2
  
ラティスC /比
利用不可
  
利用不可
  
隣接する原子番号
  
  
電気的性質
  
  
抵抗率
128.00 Nω・メートル
  
26
270.00 Nω・メートル
  
15
電気伝導性
0.08 10 6 / cmのΩ
  
24
0.07 10 6 / cmのΩ
  
29
電子親和力
46.90 kJの/モル
  
24
28.90 kJの/モル
  
31
電気的性質
導体
  
半導体
  
磁気特性
  
  
磁気秩序
常磁性体
  
反磁性の
  
透磁率
利用不可
  
利用不可
  
敏感
利用不可
  
利用不可
  
比熱
0.36 J /(kgのK)
  
17
0.37 J /(kgのK)
  
16
熱伝導率
58.20 W /メートル・K
  
26
40.60 W /メートル・K
  
34
モル熱容量
31.06 J /モル・K
  
5
25.86 J /モル・K
  
35
熱膨張
90.00 ミクロン/(メートル・K)
  
2
18.00 ミクロン/(メートル・K)
  
24
標準モルエントロピー
76.80 J / mol.K
  
5
40.80 J / mol.K
  
38
エンタルピー
  
  
蒸発エンタルピー
69.20 kJの/モル
  
99+
256.10 kJの/モル
  
36
融解エンタルピー
2.19 kJの/モル
  
99+
5.59 kJの/モル
  
99+
微粒化のエンタルピー
82.00 kJの/モル
  
99+
276.10 kJの/モル
  
39