融点
1,042.00 °C
  
99+
沸点
3,000.00 °C
  
31
モース硬度
利用不可
  
利用不可
  
ブリネル硬さ
利用不可
  
利用不可
  
ビッカース硬度
利用不可
  
利用不可
  
光学特性
  
  
屈折率
利用不可
  
利用不可
  
反射性
利用不可
  
利用不可
  
音速
16,200.00 ミズ
  
1
利用不可
  
同素体
いいえ
  
いいえ
  
α同素体
利用不可
  
利用不可
  
β同素体
利用不可
  
利用不可
  
γ同素体
利用不可
  
利用不可
  
化学式
Tc
  
Pm
  
同位体
  
  
電気陰性度
  
  
ポーリング電気陰性度
利用不可
  
サンダーソン電気陰性
利用不可
  
利用不可
  
マリケン-ジャッフェ電気陰性度
利用不可
  
利用不可
  
陽性度
  
  
イオン化エネルギー
  
  
第一のエネルギーレベル
702.00 kJの/モル
  
36
540.00 kJの/モル
  
99+
第二のエネルギーレベル
1,470.00 kJの/モル
  
99+
1,050.00 kJの/モル
  
99+
第三のエネルギーレベル
2,850.00 kJの/モル
  
33
2,150.00 kJの/モル
  
99+
電気化学当量
0.52 グラム/アンペア-HR
  
99+
1.80 グラム/アンペア-HR
  
36
電子仕事関数
利用不可
  
利用不可
  
その他の化学的性質
アンチ腐食, イオン化, 放射性同位元素, 放射能, 溶解度
  
イオン化, 放射性同位元素, 溶解度
  
室温での密度
11.00 グラム/ cm 3の
  
34
7.26 グラム/ cm 3の
  
99+
密度とき液体(融点で)
利用不可
  
利用不可
  
蒸気圧
  
  
1000年Kにおける蒸気圧
利用不可
  
利用不可
  
2000 Kにおける蒸気圧
利用不可
  
利用不可
  
抗張力
利用不可
  
利用不可
  
粘度
利用不可
  
利用不可
  
弾性特性
  
  
他の機械的特性
NA
  
NA
  
シンボル
Tc
  
Pm
  
期間番号
5
  
6
  
ブロック
Dブロック
  
Fブロック
  
エレメントファミリー
遷移金属
  
ランタニド元素
  
原子量
145.00 AMU
  
99+
原子容
8.50 立方センチメートル/モル
  
99+
22.39 立方センチメートル/モル
  
12
電子構成
【クリプトン] 4dの5 5S 2
  
【キセノン] 4F 5 6S 2
  
ヴァランス電子ポテンシャル
180.00 (-eV)
  
3
44.10 (-eV)
  
39
結晶構造
六方最閉じる(HCP)
  
パックドダブル六方(DHCP)
  
結晶格子
HCP-Crystal-Structure-of-Technetium.jpg#100
  
DHCP-Crystal-Structure-of-Promethium.jpg#100
  
アトムの半径
  
  
ラティス角度
π/2, π/2, 2 π/3
  
Unknown
  
隣接する原子番号
  
  
電気的性質
  
  
抵抗率
200.00 Nω・メートル
  
18
0.75 Nω・メートル
  
99+
電気伝導性
0.07 10
6 / cmのΩ
  
30
利用不可
  
電子親和力
53.00 kJの/モル
  
18
50.00 kJの/モル
  
21
電気的性質
導体
  
導体
  
磁気特性
  
  
磁気秩序
常磁性体
  
常磁性体
  
透磁率
利用不可
  
利用不可
  
敏感
利用不可
  
利用不可
  
比熱
0.21 J /(kgのK)
  
29
0.18 J /(kgのK)
  
33
熱伝導率
50.60 W /メートル・K
  
30
17.90 W /メートル・K
  
99+
臨界温度
利用不可
  
利用不可
  
モル熱容量
24.27 J /モル・K
  
99+
利用不可
  
熱膨張
7.10 ミクロン/(メートル・K)
  
99+
9.00 ミクロン/(メートル・K)
  
99+
標準モルエントロピー
181.10 J / mol.K
  
2
利用不可
  
エンタルピー
  
  
蒸発エンタルピー
660.00 kJの/モル
  
6
利用不可
  
融解エンタルピー
23.01 kJの/モル
  
9
7.50 kJの/モル
  
99+
微粒化のエンタルピー
649.00 kJの/モル
  
8
310.00 kJの/モル
  
34