沸点
2,000.00 °C
  
99+
ブリネル硬さ
利用不可
  
8.80 メガパスカル
  
99+
ビッカース硬度
利用不可
  
利用不可
  
光学特性
  
  
屈折率
利用不可
  
利用不可
  
反射性
利用不可
  
利用不可
  
音速
利用不可
  
1,215.00 ミズ
  
99+
同素体
いいえ
  
いいえ
  
α同素体
利用不可
  
利用不可
  
β同素体
利用不可
  
利用不可
  
γ同素体
利用不可
  
利用不可
  
化学式
Ts
  
In
  
同位体
  
  
電気陰性度
  
  
ポーリング電気陰性度
利用不可
  
サンダーソン電気陰性
利用不可
  
オールレッドロヒョー電気陰性
利用不可
  
マリケン-ジャッフェ電気陰性度
利用不可
  
陽性度
  
  
イオン化エネルギー
  
  
第一のエネルギーレベル
742.90 kJの/モル
  
23
558.30 kJの/モル
  
99+
第二のエネルギーレベル
1,785.00 kJの/モル
  
22
1,820.70 kJの/モル
  
18
第三のエネルギーレベル
利用不可
  
2,704.00 kJの/モル
  
39
電気化学当量
利用不可
  
1.43 グラム/アンペア-HR
  
99+
その他の化学的性質
化学的安定性, イオン化
  
イオン化, 放射性同位元素, 放射能, 溶解度
  
室温での密度
7.10 グラム/ cm 3の
  
99+
7.31 グラム/ cm 3の
  
99+
密度とき液体(融点で)
利用不可
  
7.02 グラム/ cm 3で
  
33
蒸気圧
  
  
1000年Kにおける蒸気圧
利用不可
  
2000 Kにおける蒸気圧
利用不可
  
利用不可
  
抗張力
利用不可
  
2.50 メガパスカル
  
21
粘度
利用不可
  
利用不可
  
弾性特性
  
  
せん断弾性係数
利用不可
  
利用不可
  
体積弾性率
利用不可
  
利用不可
  
ヤング率
利用不可
  
11.00 GPaで
  
99+
ポアソン比
利用不可
  
利用不可
  
他の機械的特性
未知の
  
延性のあります, 柔軟
  
シンボル
Ts
  
In
  
期間番号
7
  
5
  
ブロック
p個のブロック
  
p個のブロック
  
エレメントファミリー
おそらくポストトランジション
  
ポストトランジション
  
原子量
114.82 AMU
  
99+
原子容
利用不可
  
15.70 立方センチメートル/モル
  
33
電子構成
[Rnの] 14 6D 10 7sの2 7P 5 5F
  
[のKr] 4dは10 5S 2 5P 1
  
ヴァランス電子ポテンシャル
利用不可
  
54.00 (-eV)
  
25
結晶構造
知られていない
  
正方晶(TETR)
  
結晶格子
Unknown-Crystal-Structure-of-Ununseptium.jpg#100
  
TETR-Crystal-Structure-of-Indium.jpg#100
  
アトムの半径
  
  
ファンデルワールス半径
利用不可
  
ラティス角度
NA
  
π/2, π/2, π/2
  
ラティスC /比
利用不可
  
利用不可
  
隣接する原子番号
  
  
電気的性質
  
  
抵抗率
利用不可
  
83.70 Nω・メートル
  
34
電気伝導性
利用不可
  
0.12 10
6 / cmのΩ
  
17
電子親和力
利用不可
  
28.90 kJの/モル
  
31
電気的性質
未知の
  
導体
  
磁気特性
  
  
磁気秩序
常磁性体
  
反磁性の
  
透磁率
利用不可
  
利用不可
  
敏感
利用不可
  
利用不可
  
比熱
利用不可
  
0.23 J /(kgのK)
  
27
熱伝導率
利用不可
  
81.80 W /メートル・K
  
21
臨界温度
利用不可
  
利用不可
  
モル熱容量
利用不可
  
26.74 J /モル・K
  
25
熱膨張
利用不可
  
32.10 ミクロン/(メートル・K)
  
9
標準モルエントロピー
利用不可
  
57.80 J / mol.K
  
22
エンタルピー
  
  
蒸発エンタルピー
利用不可
  
226.40 kJの/モル
  
40
融解エンタルピー
利用不可
  
3.28 kJの/モル
  
99+
微粒化のエンタルピー
利用不可
  
242.70 kJの/モル
  
99+