シンボル
Ta
  
Cs
  
期間番号
6
  
6
  
ブロック
Dブロック
  
sのブロック
  
エレメントファミリー
遷移金属
  
アルカリ
  
スペースグループ名
Im_ 3メートル
  
Im_ 3メートル
  
興味深い事実
- タンタル金属は、耐腐食性として知られています。
- タンタル金属は、容易に製造することができ、これは、熱と電気の良導体です。
  
利用不可
  
ソース
鉱物で発見, 鉱業, 鉱物の鉱石
  
地殻, 鉱物で発見, 鉱業, 鉱物の鉱石
  
誰が発見
アンデシュ・エーケベリ
  
ローベルト・ブンゼンとグスタフ・キルヒホフ
  
発見
1802年には
  
1860年に
  
日には豊富
~-9999 %
  
~0.0000008 %
  
20
用途と利点
- タンタル金属は、主に電子部品の製造に使用されます。その酸化物層は、絶縁体として機能します。
- タンタル金属はまた、骨、頭蓋骨プレートの交換などの外科的移植にと織りガーゼとして使用されています。
  
- セシウム金属の最も一般的な用途は、掘削流体としてあります。また、光学ガラスの製造に使用されます。
- 真空管と放射線監視装置では、この金属は、触媒促進剤として使用されます。
  
産業用途
電気事業, 電子産業
  
航空宇宙産業, 自動車産業, 電気事業, 電子産業
  
医療用途
NA
  
NA
  
他の用途
合金
  
合金
  
生物学的性質
  
  
毒性
低毒性
  
毒性の弱いです
  
人間の体内に存在します
はい
  
はい
  
血液中の
利用不可
  
0.00 血液/ mgでのDM-3
  
28
身体的状況
固体
  
固体
  
色
グレーブルー
  
銀色ゴールド
  
光沢
メタリック
  
NA
  
ブリネル硬さ
440.00 メガパスカル
  
28
0.14 メガパスカル
  
99+
ビッカース硬度
870.00 メガパスカル
  
12
利用不可
  
音速
3,400.00 ミズ
  
22
利用不可
  
光学特性
  
  
同素体
いいえ
  
いいえ
  
α同素体
利用不可
  
利用不可
  
β同素体
利用不可
  
利用不可
  
γ同素体
利用不可
  
利用不可
  
化学式
Ta
  
Cs
  
同位体
  
  
電気陰性度
  
  
サンダーソン電気陰性
利用不可
  
マリケン-ジャッフェ電気陰性度
利用不可
  
陽性度
  
  
イオン化エネルギー
  
  
第一のエネルギーレベル
761.00 kJの/モル
  
18
375.70 kJの/モル
  
99+
第二のエネルギーレベル
1,500.00 kJの/モル
  
40
2,234.30 kJの/モル
  
8
第三のエネルギーレベル
利用不可
  
3,400.00 kJの/モル
  
16
電気化学当量
1.35 グラム/アンペア-HR
  
99+
4.96 グラム/アンペア-HR
  
3
その他の化学的性質
アンチ腐食, イオン化, 放射性同位元素, 放射能, 溶解度
  
化学的安定性, 腐食, イオン化, 放射性同位元素, 溶解度
  
電子構成
14 5D 3 6S 2 4F [Xeを]
  
【キセノン] 6S 1
  
結晶構造
体心立方(BCC)
  
体心立方(BCC)
  
結晶格子
BCC-Crystal-Structure-.jpg#100
  
BCC-Crystal-Structure-.jpg#100
  
アトムの半径
  
  
原子量
132.91 AMU
  
99+
原子容
10.90 立方センチメートル/モル
  
99+
71.07 立方センチメートル/モル
  
1
隣接する原子番号
  
  
ヴァランス電子ポテンシャル
110.00 (-eV)
  
7
8.62 (-eV)
  
99+
ラティス角度
π/2, π/2, π/2
  
π/2, π/2, π/2
  
ラティスC /比
利用不可
  
利用不可
  
室温での密度
16.69 グラム/ cm 3の
  
18
1.93 グラム/ cm 3の
  
99+
密度とき液体(融点で)
15.00 グラム/ cm 3で
  
9
1.84 グラム/ cm 3で
  
99+
抗張力
利用不可
  
利用不可
  
粘度
利用不可
  
利用不可
  
蒸気圧
  
  
2000 Kにおける蒸気圧
利用不可
  
弾性特性
  
  
ヤング率
186.00 GPaで
  
13
他の機械的特性
延性のあります
  
延性のあります
  
磁気特性
  
  
磁気秩序
常磁性体
  
常磁性体
  
電気的性質
  
  
電気的性質
導体
  
半導体
  
抵抗率
131.00 Nω・メートル
  
25
205.00 Nω・メートル
  
17
電気伝導性
0.08 10 6 / cmのΩ
  
27
0.05 10 6 / cmのΩ
  
35
電子親和力
31.00 kJの/モル
  
29
45.50 kJの/モル
  
25
比熱
0.14 J /(kgのK)
  
37
0.24 J /(kgのK)
  
23
モル熱容量
25.36 J /モル・K
  
99+
32.21 J /モル・K
  
4
熱伝導率
57.50 W /メートル・K
  
27
35.90 W /メートル・K
  
36
熱膨張
6.30 ミクロン/(メートル・K)
  
99+
97.00 ミクロン/(メートル・K)
  
1
エンタルピー
  
  
蒸発エンタルピー
753.10 kJの/モル
  
2
65.90 kJの/モル
  
99+
融解エンタルピー
31.40 kJの/モル
  
3
2.10 kJの/モル
  
99+
微粒化のエンタルピー
782.00 kJの/モル
  
3
78.20 kJの/モル
  
99+
標準モルエントロピー
41.50 J / mol.K
  
37
85.20 J / mol.K
  
3