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갈륨

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창연

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갈륨

X

창연

의 자기 적 성질 갈륨 및 창연

Gallium Electron Configuration

갈륨

Bismuth Electron Configuration

창연

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1 자기

1.1 자기 특성

1.1.1 비중

5.919.79

0.53 4500

1.1.2 자기 주문

반자성

반자성

1.1.3 침투성

사용 불가0.00 H / m

1.25643E-06 0.0063

1.1.4 자화율

사용 불가0.00

-0.000166 200000

1.2 전기적 특성

1.2.1 전기 속성

반도체

반도체

1.2.2 저항

270.00 nΩ · m1.29 nΩ · m

0.18 961

1.2.3 전기 전도도

0.07 10 ⁶ / cm Ω0.01 10 ⁶ / cm Ω

0.00666 0.63

1.2.4 전자 친화도

28.90 킬로 / 몰91.20 킬로 / 몰

0 222.8

비교 포스트 전이 금속 » 더

Gallium Electron Configuration

Aluminium Metal

갈륨 대 알류미늄

Gallium Electron Configuration

Tin Metal

갈륨 대 주석

Gallium Electron Configuration

Tennessine Metal

갈륨 대 테네신

더 비교 포스트 전이 금속

포스트 전이 금속 » 더

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폴로늄 금속

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플레로븀 금속

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테네신 금속

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더 포스트 전이 금속

포스트 전이 금속 »더

Aluminium Metal

알류미늄

주기율표 | 신체적 인 | 화학 | 기계적인

Lead Metal

리드

주기율표 | 신체적 인 | 화학 | 기계적인

Bismuth Electron Configuration

창연

주기율표 | 신체적 인 | 화학 | 기계적인

» 더 포스트 전이 금속

비교 포스트 전이 금속 »더

Bismuth Electron Configuration

Flerovium Electron Configuration

창연 대 플레로븀

주기율표 | 신체적 인 | 화학 | 기계적인

Bismuth Electron Configuration

Thallium Metal

창연 대 탈륨

주기율표 | 신체적 인 | 화학 | 기계적인

Bismuth Electron Configuration

Indium Metal

창연 대 인듐

주기율표 | 신체적 인 | 화학 | 기계적인

» 더 비교 포스트 전이 금속