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原子構造ハフニウムおよびインジウム

ハフニウム
インジウム
原子構造インジウムおよびハフニウム


アトミック プロパティ
原子番号
72   
99+
49   
99+
電子構成
14図5d 2 6sの2 4F [Xeを]   
[のKr] 4dは10 5S 2 5P 1   
結晶構造
六方最閉じる（HCP）   
正方晶（TETR）   
結晶格子
BCC-Crystal-Structure-.jpg#100   
TETR-Crystal-Structure-of-Indium.jpg#100   
原子
  
  
陽子数
72   
99+
49   
99+
中性子数
106   
29
66   
99+
電子の数
72   
99+
49   
99+
アトムの半径
  
  
原子半径
159.00 午後   
28
167.00 午後   
24
共有結合半径
175.00 午後   
23
142.00 午後   
99+
ファンデルワールス半径
200.00 午後   
28
193.00 午後   
31
原子量
178.49 AMU   
39
114.82 AMU   
99+
原子容
13.60 立方センチメートル/モル   
38
15.70 立方センチメートル/モル   
33
隣接する原子番号
  
  
前の要素
ルテチウム
  
カドミウム
  
次の要素
タンタル
  
錫
  
ヴァランス電子ポテンシャル
81.00 （-eV）   
16
54.00 （-eV）   
25
格子定数
319.64 午後   
99+
325.23 午後   
99+
ラティス角度
π/2, π/2, 2 π/3   
π/2, π/2, π/2   
ラティスC /比
1.58   
12
利用不可   
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