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 金属の比較

原子構造インジウムおよびハフニウム

インジウム
ハフニウム
原子構造ハフニウムおよびインジウム


アトミック プロパティ
原子番号
49   
99+
72   
99+
電子構成
[のKr] 4dは10 5S 2 5P 1   
14図5d 2 6sの2 4F [Xeを]   
結晶構造
正方晶（TETR）   
六方最閉じる（HCP）   
結晶格子
TETR-Crystal-Structure-of-Indium.jpg#100   
BCC-Crystal-Structure-.jpg#100   
原子
  
  
陽子数
49   
99+
72   
99+
中性子数
66   
99+
106   
29
電子の数
49   
99+
72   
99+
アトムの半径
  
  
原子半径
167.00 午後   
24
159.00 午後   
28
共有結合半径
142.00 午後   
99+
175.00 午後   
23
ファンデルワールス半径
193.00 午後   
31
200.00 午後   
28
原子量
114.82 AMU   
99+
178.49 AMU   
39
原子容
15.70 立方センチメートル/モル   
33
13.60 立方センチメートル/モル   
38
隣接する原子番号
  
  
前の要素
カドミウム
  
ルテチウム
  
次の要素
錫
  
タンタル
  
ヴァランス電子ポテンシャル
54.00 （-eV）   
25
81.00 （-eV）   
16
格子定数
325.23 午後   
99+
319.64 午後   
99+
ラティス角度
π/2, π/2, π/2   
π/2, π/2, 2 π/3   
ラティスC /比
利用不可   
1.58   
12
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