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ハッシウム
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ラザホージウム
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ハッシウム
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ラザホージウム

原子構造ハッシウムおよびラザホージウム
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アトミック

原子番号

電子構成

結晶構造

結晶格子

陽子数

中性子数

電子の数

原子半径

共有結合半径

ファンデルワールス半径

原子量

原子容

前の要素

次の要素

ヴァランス電子ポテンシャル

格子定数

ラティス角度

ラティスC /比

 
108
14 6dは6 7sの2 5F [Rnの]
六方最閉じる（HCP）
BCC-Crystal-Structure-.jpg#100
108
158
108
126.00 午後
134.00 午後
0.00 午後
269.00 AMU
22.70 立方センチメートル/モル
69
89
0.00 （-eV）
-
-
1.31
 
104
14 6dを2 7sの2 5F [Rnの]
六方最閉じる（HCP）
BCC-Crystal-Structure-.jpg#100
104
157
104
150.00 午後
157.00 午後
250.00 午後
267.00 AMU
23.20 立方センチメートル/モル
82
70
6.00 （-eV）
-
-
1.60

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ハフニウム金属
ハフニウム 金属
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ラザホージウム電子配置
ボーリウム電子配置
ラザホージウム対ボーリウム
ラザホージウム電子配置
ドブニウム電子配置
ラザホージウム対ドブニウム
ラザホージウム電子配置
コペルニシウム電子配置
ラザホージウム対コペルニシウム

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