沸点
2,403.00 °C
  
99+
ブリネル硬さ
56.80 メガパスカル
  
99+
利用不可
  
ビッカース硬度
利用不可
  
利用不可
  
光学特性
  
  
屈折率
利用不可
  
利用不可
  
反射性
利用不可
  
利用不可
  
音速
2,740.00 ミズ
  
31
16,200.00 ミズ
  
1
同素体
いいえ
  
いいえ
  
α同素体
利用不可
  
利用不可
  
β同素体
利用不可
  
利用不可
  
γ同素体
利用不可
  
利用不可
  
化学式
Ga
  
Tc
  
同位体
  
  
電気陰性度
  
  
サンダーソン電気陰性
利用不可
  
マリケン-ジャッフェ電気陰性度
利用不可
  
陽性度
  
  
イオン化エネルギー
  
  
第一のエネルギーレベル
578.80 kJの/モル
  
99+
702.00 kJの/モル
  
36
第二のエネルギーレベル
1,979.30 kJの/モル
  
13
1,470.00 kJの/モル
  
99+
第三のエネルギーレベル
2,963.00 kJの/モル
  
28
2,850.00 kJの/モル
  
33
電気化学当量
0.87 グラム/アンペア-HR
  
99+
0.52 グラム/アンペア-HR
  
99+
その他の化学的性質
イオン化, 放射性同位元素
  
アンチ腐食, イオン化, 放射性同位元素, 放射能, 溶解度
  
室温での密度
5.91 グラム/ cm 3の
  
99+
11.00 グラム/ cm 3の
  
34
密度とき液体(融点で)
6.10 グラム/ cm 3で
  
99+
利用不可
  
蒸気圧
  
  
1000年Kにおける蒸気圧
利用不可
  
2000 Kにおける蒸気圧
利用不可
  
利用不可
  
抗張力
利用不可
  
利用不可
  
粘度
利用不可
  
利用不可
  
弾性特性
  
  
せん断弾性係数
利用不可
  
利用不可
  
体積弾性率
利用不可
  
利用不可
  
他の機械的特性
NA
  
NA
  
シンボル
Ga
  
Tc
  
期間番号
4
  
5
  
ブロック
p個のブロック
  
Dブロック
  
エレメントファミリー
ポストトランジション
  
遷移金属
  
原子容
11.80 立方センチメートル/モル
  
99+
8.50 立方センチメートル/モル
  
99+
電子構成
[アルゴン] 3D 10 4S 2 4P 1
  
【クリプトン] 4dの5 5S 2
  
ヴァランス電子ポテンシャル
69.70 (-eV)
  
19
180.00 (-eV)
  
3
結晶構造
斜方晶(ORTH)
  
六方最閉じる(HCP)
  
結晶格子
ORTH-Crystal-Structure-of-Gallium.jpg#100
  
HCP-Crystal-Structure-of-Technetium.jpg#100
  
アトムの半径
  
  
ラティス角度
π/2, π/2, π/2
  
π/2, π/2, 2 π/3
  
隣接する原子番号
  
  
電気的性質
  
  
抵抗率
270.00 Nω・メートル
  
15
200.00 Nω・メートル
  
18
電気伝導性
0.07 10 6 / cmのΩ
  
29
0.07 10 6 / cmのΩ
  
30
電子親和力
28.90 kJの/モル
  
31
53.00 kJの/モル
  
18
電気的性質
半導体
  
導体
  
磁気特性
  
  
磁気秩序
反磁性の
  
常磁性体
  
透磁率
利用不可
  
利用不可
  
敏感
利用不可
  
利用不可
  
比熱
0.37 J /(kgのK)
  
16
0.21 J /(kgのK)
  
29
熱伝導率
40.60 W /メートル・K
  
34
50.60 W /メートル・K
  
30
臨界温度
利用不可
  
利用不可
  
モル熱容量
25.86 J /モル・K
  
35
24.27 J /モル・K
  
99+
熱膨張
18.00 ミクロン/(メートル・K)
  
24
7.10 ミクロン/(メートル・K)
  
99+
標準モルエントロピー
40.80 J / mol.K
  
38
181.10 J / mol.K
  
2
エンタルピー
  
  
蒸発エンタルピー
256.10 kJの/モル
  
36
660.00 kJの/モル
  
6
融解エンタルピー
5.59 kJの/モル
  
99+
23.01 kJの/モル
  
9
微粒化のエンタルピー
276.10 kJの/モル
  
39
649.00 kJの/モル
  
8