沸点
1,457.00 °C
  
99+
1,560.00 °C
  
99+
ブリネル硬さ
26.50 メガパスカル
  
99+
70.00 メガパスカル
  
99+
ビッカース硬度
利用不可
  
利用不可
  
光学特性
  
  
屈折率
利用不可
  
利用不可
  
反射性
利用不可
  
利用不可
  
音速
1,790.00 ミズ
  
99+
同素体
いいえ
  
いいえ
  
α同素体
利用不可
  
利用不可
  
β同素体
利用不可
  
利用不可
  
γ同素体
利用不可
  
利用不可
  
化学式
Tl
  
Bi
  
同位体
  
  
電気陰性度
  
  
陽性度
  
  
イオン化エネルギー
  
  
第一のエネルギーレベル
589.40 kJの/モル
  
99+
703.00 kJの/モル
  
35
第二のエネルギーレベル
1,971.00 kJの/モル
  
14
1,610.00 kJの/モル
  
33
第三のエネルギーレベル
2,878.00 kJの/モル
  
32
2,466.00 kJの/モル
  
99+
電気化学当量
7.63 グラム/アンペア-HR
  
2
2.60 グラム/アンペア-HR
  
19
その他の化学的性質
腐食, イオン化, 放射性同位元素, 溶解度
  
イオン化, 放射性同位元素, 溶解度
  
室温での密度
11.85 グラム/ cm 3の
  
31
9.78 グラム/ cm 3の
  
39
密度とき液体(融点で)
11.22 グラム/ cm 3で
  
13
10.05 グラム/ cm 3で
  
18
蒸気圧
  
  
1000年Kにおける蒸気圧
利用不可
  
2000 Kにおける蒸気圧
利用不可
  
利用不可
  
抗張力
利用不可
  
利用不可
  
粘度
利用不可
  
利用不可
  
弾性特性
  
  
せん断弾性係数
12.00 GPaで
  
99+
ヤング率
32.00 GPaで
  
99+
他の機械的特性
延性のあります, 細く裂けました
  
NA
  
シンボル
Tl
  
Bi
  
期間番号
6
  
6
  
ブロック
p個のブロック
  
p個のブロック
  
エレメントファミリー
ポストトランジション
  
ポストトランジション
  
原子容
17.20 立方センチメートル/モル
  
31
21.30 立方センチメートル/モル
  
14
電子構成
【キセノン] 14 5dは10 6S 2 6P 1 4F
  
【キセノン] 14 5dは10 6S 2 6P 3 4F
  
ヴァランス電子ポテンシャル
9.60 (-eV)
  
99+
41.90 (-eV)
  
99+
結晶構造
六方最閉じる(HCP)
  
菱面体晶(RHO)
  
結晶格子
BCC-Crystal-Structure-.jpg#100
  
RHO-Crystal-Structure-of-Bismuth.jpg#100
  
アトムの半径
  
  
ラティス角度
π/2, π/2, 2 π/3
  
NA
  
隣接する原子番号
  
  
電気的性質
  
  
抵抗率
0.18 Nω・メートル
  
99+
1.29 Nω・メートル
  
99+
電気伝導性
0.06 10 6 / cmのΩ
  
32
0.01 10 6 / cmのΩ
  
99+
電子親和力
19.20 kJの/モル
  
32
91.20 kJの/モル
  
11
電気的性質
導体
  
半導体
  
磁気特性
  
  
磁気秩序
反磁性の
  
反磁性の
  
透磁率
利用不可
  
0.00 H /メートル
  
6
比熱
0.13 J /(kgのK)
  
39
0.12 J /(kgのK)
  
40
熱伝導率
46.10 W /メートル・K
  
33
7.97 W /メートル・K
  
99+
臨界温度
利用不可
  
利用不可
  
モル熱容量
26.32 J /モル・K
  
29
25.52 J /モル・K
  
37
熱膨張
29.90 ミクロン/(メートル・K)
  
12
13.40 ミクロン/(メートル・K)
  
28
標準モルエントロピー
64.20 J / mol.K
  
19
56.70 J / mol.K
  
24
エンタルピー
  
  
蒸発エンタルピー
162.10 kJの/モル
  
99+
151.00 kJの/モル
  
99+
融解エンタルピー
4.27 kJの/モル
  
99+
10.90 kJの/モル
  
33
微粒化のエンタルピー
179.90 kJの/モル
  
99+
207.10 kJの/モル
  
99+