シンボル
W
  
Ga
  
期間番号
6
  
4
  
ブロック
Dブロック
  
p個のブロック
  
エレメントファミリー
遷移金属
  
ポストトランジション
  
スペースグループ名
Im_ 3メートル
  
CMCA
  
興味深い事実
- タングステン要素は、二番目に高い融点を有します。
- 純粋なタングステンは、簡単に弓の助けを借りて減らすことができます。
  
- ガリウム金属のグラムはわずか3ドルで購入することができます。
- ガリウム金属は、以下の事柄石炭、ボーキサイト、ダイアスポア、閃亜鉛鉱、Germaniteと亜鉛の鉱石で見つかりました。
  
ソース
地殻, 鉱物で発見, 鉱業, 鉱物の鉱石
  
地殻, 鉱物で発見, 鉱業, 鉱物の鉱石
  
誰が発見
利用不可
  
ルコック・ド・ボアボードラン
  
発見
1781年には
  
1875年に
  
日には豊富
~0.0000004 %
  
23
~0.000004 %
  
16
用途と利点
- タングステン及びその合金は、溶接電極、高温炉などのような高温用途で使用されています
- 炭化タングステンは非常に硬く、金属加工、鉱業、石油業界で使用されています。
  
- ガリウムヒ素は、多くの半導体の非常に重要な要素であり、製造を主導しました。
- 窒化ガリウムは、半導体として知られている、それはブルーレイ技術、モバイルスマートフォン、LEDに使用されます。
  
産業用途
航空宇宙産業, 自動車産業, 電気事業, 電子産業
  
電気事業, 電子産業
  
医療用途
NA
  
手術器具製造業
  
他の用途
合金
  
合金
  
生物学的性質
  
  
毒性
非毒性
  
非毒性
  
人間の体内に存在します
はい
  
はい
  
血液中の
0.00 血液/ mgでのDM-3
  
31
0.08 血液/ mgでのDM-3
  
13
沸点
2,403.00 °C
  
99+
身体的状況
固体
  
固体
  
色
灰白色
  
銀白色
  
光沢
光沢のあります
  
メタリック
  
ブリネル硬さ
2,000.00 メガパスカル
  
4
56.80 メガパスカル
  
99+
ビッカース硬度
3,430.00 メガパスカル
  
1
利用不可
  
音速
4,620.00 ミズ
  
16
2,740.00 ミズ
  
31
光学特性
  
  
同素体
いいえ
  
いいえ
  
α同素体
利用不可
  
利用不可
  
β同素体
利用不可
  
利用不可
  
γ同素体
利用不可
  
利用不可
  
化学式
W
  
Ga
  
同位体
  
  
電気陰性度
  
  
マリケン-ジャッフェ電気陰性度
利用不可
  
陽性度
  
  
イオン化エネルギー
  
  
第一のエネルギーレベル
770.00 kJの/モル
  
16
578.80 kJの/モル
  
99+
第二のエネルギーレベル
1,700.00 kJの/モル
  
29
1,979.30 kJの/モル
  
13
第三のエネルギーレベル
利用不可
  
2,963.00 kJの/モル
  
28
第四エネルギーレベル
利用不可
  
6,180.00 kJの/モル
  
8
電気化学当量
1.14 グラム/アンペア-HR
  
99+
0.87 グラム/アンペア-HR
  
99+
その他の化学的性質
イオン化, 放射性同位元素, 溶解度
  
イオン化, 放射性同位元素
  
電子構成
14 5dの4 6S 2 4F [Xeを]
  
[アルゴン] 3D 10 4S 2 4P 1
  
結晶構造
体心立方(BCC)
  
斜方晶(ORTH)
  
結晶格子
BCC-Crystal-Structure-.jpg#100
  
ORTH-Crystal-Structure-of-Gallium.jpg#100
  
アトムの半径
  
  
原子容
9.53 立方センチメートル/モル
  
99+
11.80 立方センチメートル/モル
  
99+
隣接する原子番号
  
  
ヴァランス電子ポテンシャル
140.00 (-eV)
  
5
69.70 (-eV)
  
19
ラティス角度
π/2, π/2, π/2
  
π/2, π/2, π/2
  
ラティスC /比
利用不可
  
利用不可
  
室温での密度
19.25 グラム/ cm 3の
  
16
5.91 グラム/ cm 3の
  
99+
密度とき液体(融点で)
17.60 グラム/ cm 3で
  
5
6.10 グラム/ cm 3で
  
99+
抗張力
370.00 メガパスカル
  
10
利用不可
  
粘度
利用不可
  
利用不可
  
蒸気圧
  
  
1000年Kにおける蒸気圧
利用不可
  
2000 Kにおける蒸気圧
利用不可
  
弾性特性
  
  
他の機械的特性
延性のあります, 柔軟
  
NA
  
磁気特性
  
  
磁気秩序
常磁性体
  
反磁性の
  
電気的性質
  
  
電気的性質
超電導体
  
半導体
  
抵抗率
52.80 Nω・メートル
  
99+
270.00 Nω・メートル
  
15
電気伝導性
0.19 10 6 / cmのΩ
  
10
0.07 10 6 / cmのΩ
  
29
電子親和力
78.60 kJの/モル
  
13
28.90 kJの/モル
  
31
比熱
0.13 J /(kgのK)
  
39
0.37 J /(kgのK)
  
16
モル熱容量
24.27 J /モル・K
  
99+
25.86 J /モル・K
  
35
熱伝導率
173.00 W /メートル・K
  
7
40.60 W /メートル・K
  
34
臨界温度
利用不可
  
利用不可
  
熱膨張
4.50 ミクロン/(メートル・K)
  
99+
18.00 ミクロン/(メートル・K)
  
24
エンタルピー
  
  
蒸発エンタルピー
799.10 kJの/モル
  
1
256.10 kJの/モル
  
36
融解エンタルピー
35.23 kJの/モル
  
1
5.59 kJの/モル
  
99+
微粒化のエンタルピー
837.00 kJの/モル
  
1
276.10 kJの/モル
  
39
標準モルエントロピー
32.60 J / mol.K
  
99+
40.80 J / mol.K
  
38