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ビスマス対インジウム
f
ビスマス
インジウム
インジウム対ビスマス
概要
周期表
事実
用途
フィジカル
ケミカル
アトミック
メカニカル
磁気
サーマル
すべて
周期表
シンボル
Bi
In
グループ番号
15
3
13
5
期間番号
6
5
ブロック
p個のブロック
p個のブロック
エレメントファミリー
ポストトランジション
ポストトランジション
CAS番号
7440699
22
7440746
17
スペースグループ名
C12 / m1の
I4 / mmmの
スペースグループ番号
12.00
12
139.00
8
事実
興味深い事実
ビスマス金属は可溶性であり、濃硝酸と反応します。
その酸化物は、塗料中の黄色顔料として使用されます。ビスマス、塩化酸化BiClOは、化粧品に真珠のような質感を与えます。
インジウムの光沢が自然の中で明るいです。
ライヒと豊かな亜鉛金属にタリウムを探していた、彼らはインジウム金属を発見しました。
ソース
鉱物で発見, 鉱業, 鉱物の鉱石
鉱業, 金属の鉱石
歴史
誰が発見
クロード・フランソワ・ジェフロワ
フェルディナンド・ライヒとテオドール・リヒター
発見
1753年には
1863年には
豊富
宇宙では豊富
7 * 10
-8
％
25
3 * 10
-8
％
28
日には豊富
~0.000006 ％
14
~0.0000004 ％
23
隕石では豊富
0.00 ％
99+
0.00 ％
99+
地球の地殻に豊富
0.00 ％
99+
0.00 ％
99+
海洋の豊富
0.00 ％
24
0.00 ％
99+
用途
用途と利点
スズとビスマスの合金は、非常に低い融点を有し、従って、それは、火災感知器と、消火器に使用されます。また、電気はんだとヒューズに使用されます。
これは、インジウムスズ酸化物（ITO）を生成するために使用され、それは、タッチスクリーン、フラットスクリーンテレビ、ソーラーパネルの製造に使用されます。
その窒化物、リンおよびアンチモンは、トランジスタやマイクロチップに使用されています。
産業用途
自動車産業, 化学工業, 電気事業, 電子産業
航空宇宙産業, 自動車産業
医療用途
製薬業界
医学研究
他の用途
合金
合金, 原子炉内の
生物学的性質
毒性
低毒性
非毒性
人間の体内に存在します
はい
はい
血液中の
0.02 血液/ mgでのDM-3
20
利用不可
骨の中に
0.20 ppmの
22
利用不可
フィジカル プロパティ
融点
271.30 °C
99+
156.61 °C
99+
沸点
1,560.00 °C
99+
2,000.00 °C
99+
外観
身体的状況
固体
固体
色
銀
銀色のグレー
光沢
メタリック
光沢のあります
硬度
モース硬度
2.25
15
1.20
20
ブリネル硬さ
70.00 メガパスカル
99+
8.80 メガパスカル
99+
音速
1,790.00 ミズ
99+
1,215.00 ミズ
99+
光学特性
同素体
いいえ
いいえ
α同素体
利用不可
利用不可
β同素体
利用不可
利用不可
γ同素体
利用不可
利用不可
ケミカル プロパティ
化学式
Bi
In
同位体
既知の同位体
33
6
35
4
電気陰性度
ポーリング電気陰性度
2.02
6
1.78
16
サンダーソン電気陰性
2.34
3
2.14
8
オールレッドロヒョー電気陰性
1.67
6
1.49
13
マリケン-ジャッフェ電気陰性度
2.15
4
1.76
10
アレン電気陰性
2.01
4
1.66
18
陽性度
ポーリング陽性度
1.98
99+
2.22
38
イオン化エネルギー
第一のエネルギーレベル
703.00 kJの/モル
35
558.30 kJの/モル
99+
第二のエネルギーレベル
1,610.00 kJの/モル
33
1,820.70 kJの/モル
18
第三のエネルギーレベル
2,466.00 kJの/モル
99+
2,704.00 kJの/モル
39
第四エネルギーレベル
4,370.00 kJの/モル
28
5,210.00 kJの/モル
17
第五エネルギーレベル
5,400.00 kJの/モル
30
利用不可
第六エネルギーレベル
8,520.00 kJの/モル
19
利用不可
電気化学当量
2.60 グラム/アンペア-HR
19
1.43 グラム/アンペア-HR
99+
電子仕事関数
4.22 eVの
22
4.12 eVの
24
その他の化学的性質
イオン化, 放射性同位元素, 溶解度
イオン化, 放射性同位元素, 放射能, 溶解度
アトミック プロパティ
原子番号
83
33
49
99+
電子構成
【キセノン]
14
5dは
10
6S
2
6P
3
4F
[のKr] 4dは
10
5S
2
5P
1
結晶構造
菱面体晶（RHO）
正方晶（TETR）
結晶格子
RHO-Crystal-Structure-of-Bismuth.jpg#100
TETR-Crystal-Structure-of-Indium.jpg#100
原子
陽子数
83
33
49
99+
中性子数
126
18
66
99+
電子の数
83
33
49
99+
アトムの半径
原子半径
156.00 午後
29
167.00 午後
24
共有結合半径
148.00 午後
36
142.00 午後
99+
ファンデルワールス半径
207.00 午後
26
193.00 午後
31
原子量
208.98 AMU
29
114.82 AMU
99+
原子容
21.30 立方センチメートル/モル
14
15.70 立方センチメートル/モル
33
隣接する原子番号
前の要素
鉛
カドミウム
次の要素
ポロニウム
錫
ヴァランス電子ポテンシャル
41.90 （-eV）
99+
54.00 （-eV）
25
格子定数
667.40 午後
2
325.23 午後
99+
ラティス角度
NA
π/2, π/2, π/2
ラティスC /比
利用不可
利用不可
メカニカル プロパティ
密度
室温での密度
9.78 グラム/ cm
3
の
39
7.31 グラム/ cm
3
の
99+
密度とき液体（融点で）
10.05 グラム/ cm 3で
18
7.02 グラム/ cm 3で
33
抗張力
利用不可
2.50 メガパスカル
21
粘度
利用不可
利用不可
蒸気圧
1000年Kにおける蒸気圧
利用不可
0.01 （PA）
11
弾性特性
せん断弾性係数
12.00 GPaで
99+
利用不可
体積弾性率
31.00 GPaで
38
利用不可
ヤング率
32.00 GPaで
99+
11.00 GPaで
99+
ポアソン比
0.33
11
利用不可
他の機械的特性
NA
延性のあります, 柔軟
磁気 プロパティ
磁気特性
比重
9.79
30
7.31
99+
磁気秩序
反磁性の
反磁性の
透磁率
0.00 H /メートル
6
利用不可
敏感
0.00
6
利用不可
電気的性質
電気的性質
半導体
導体
抵抗率
1.29 Nω・メートル
99+
83.70 Nω・メートル
34
電気伝導性
0.01 10
6
/ cmのΩ
99+
0.12 10
6
/ cmのΩ
17
電子親和力
91.20 kJの/モル
11
28.90 kJの/モル
31
サーマル プロパティ
比熱
0.12 J /（kgのK）
40
0.23 J /（kgのK）
27
モル熱容量
25.52 J /モル・K
37
26.74 J /モル・K
25
熱伝導率
7.97 W /メートル・K
99+
81.80 W /メートル・K
21
臨界温度
利用不可
利用不可
熱膨張
13.40 ミクロン/（メートル・K）
28
32.10 ミクロン/（メートル・K）
9
エンタルピー
蒸発エンタルピー
151.00 kJの/モル
99+
226.40 kJの/モル
40
融解エンタルピー
10.90 kJの/モル
33
3.28 kJの/モル
99+
微粒化のエンタルピー
207.10 kJの/モル
99+
242.70 kJの/モル
99+
標準モルエントロピー
56.70 J / mol.K
24
57.80 J / mol.K
22
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